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产品简介:
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Maxim Integrated的DS1225AB-200IND是一款非易失性静态随机存取存储器(NVSRAM),具有256K位(32K x 8)的存储容量,访问时间为200纳秒,适用于工业级温度范围(-40℃至+85℃)。该器件结合了SRAM与非易失性存储技术,能够在断电时通过锂电池保存数据,具备高可靠性和数据保存时间长的特点。 DS1225AB-200IND主要应用于需要高速存取和数据持久性的工业与通信设备中,例如: 1. 工业控制系统:用于存储关键的运行参数、设备配置和故障日志,确保断电后数据不丢失; 2. 网络通信设备:如路由器和交换机,用于缓存配置信息和运行时数据; 3. 医疗仪器:用于保存患者数据、设备校准信息; 4. 数据采集系统:在无人值守设备中保存实时采集的数据; 5. 智能电表与能源管理系统:用于记录能耗数据和操作日志。 其高速访问、非易失性和工业级稳定性使其成为高可靠性场景中的理想选择。
参数 | 数值 |
产品目录 | 集成电路 (IC) |
描述 | IC NVSRAM 64KBIT 200NS 28EDIP |
产品分类 | 存储器 |
品牌 | Maxim Integrated |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | DS1225AB-200IND |
rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
供应商器件封装 | 28-EDIP |
其它名称 | DS1225AB200IND |
包装 | 管件 |
存储器类型 | NVSRAM(非易失 SRAM) |
存储容量 | 64K (8K x 8) |
封装/外壳 | 28-DIP 模块(0.600",15.24mm) |
工作温度 | -40°C ~ 85°C |
接口 | 并联 |
标准包装 | 1 |
格式-存储器 | RAM |
电压-电源 | 4.75 V ~ 5.25 V |
速度 | 200ns |