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  • 型号: DS1225AB-200IND
  • 制造商: Maxim
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供DS1225AB-200IND由Maxim设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DS1225AB-200IND价格参考。MaximDS1225AB-200IND封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载DS1225AB-200IND参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有DS1225AB-200IND 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Maxim Integrated的DS1225AB-200IND是一款非易失性静态随机存取存储器(NVSRAM),具有256K位(32K x 8)的存储容量,访问时间为200纳秒,适用于工业级温度范围(-40℃至+85℃)。该器件结合了SRAM与非易失性存储技术,能够在断电时通过锂电池保存数据,具备高可靠性和数据保存时间长的特点。

DS1225AB-200IND主要应用于需要高速存取和数据持久性的工业与通信设备中,例如:

1. 工业控制系统:用于存储关键的运行参数、设备配置和故障日志,确保断电后数据不丢失;
2. 网络通信设备:如路由器和交换机,用于缓存配置信息和运行时数据;
3. 医疗仪器:用于保存患者数据、设备校准信息;
4. 数据采集系统:在无人值守设备中保存实时采集的数据;
5. 智能电表与能源管理系统:用于记录能耗数据和操作日志。

其高速访问、非易失性和工业级稳定性使其成为高可靠性场景中的理想选择。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

集成电路 (IC)

描述

IC NVSRAM 64KBIT 200NS 28EDIP

产品分类

存储器

品牌

Maxim Integrated

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

产品型号

DS1225AB-200IND

rohs

含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

供应商器件封装

28-EDIP

其它名称

DS1225AB200IND

包装

管件

存储器类型

NVSRAM(非易失 SRAM)

存储容量

64K (8K x 8)

封装/外壳

28-DIP 模块(0.600",15.24mm)

工作温度

-40°C ~ 85°C

接口

并联

标准包装

1

格式-存储器

RAM

电压-电源

4.75 V ~ 5.25 V

速度

200ns

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