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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供DMN3051LDM-7由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMN3051LDM-7价格参考。Diodes Inc.DMN3051LDM-7封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载DMN3051LDM-7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有DMN3051LDM-7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 4A SOT26 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | DMN3051LDM-7 |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 424pF @ 5V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 8.6nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 38 毫欧 @ 6A, 10V |
| 供应商器件封装 | SOT-26 |
| 其它名称 | DMN3051LDM-7DI |
| 功率-最大值 | 900mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 4A (Ta) |