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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供DF2S6.8FS(TL4,D)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DF2S6.8FS(TL4,D)价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.DF2S6.8FS(TL4,D)封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载DF2S6.8FS(TL4,D)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有DF2S6.8FS(TL4,D) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电路保护电路保护 |
| 描述 | TVS DIODE 5VWM 9VC FSCESD 抑制器 6.8v VZ 30 Ohm ZZ 0.5uA IR 25pF 150mW |
| 产品分类 | TVS - 二极管ESD 抑制器 |
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and StorageToshiba |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | Toshiba DF2S6.8FS(TL4,D)- |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF2S6.8FS |
| 产品型号 | DF2S6.8FS(TL4,D)DF2S6.8FS(TL4,D) |
| 不同频率时的电容 | 25pF @ 1MHz |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=30275 |
| 产品种类 | ESD 抑制器 |
| 供应商器件封装 | fSC |
| 其它名称 | DF2S6.8FS(TL4D)TR |
| 击穿电压 | 7.8 V |
| 功率-峰值脉冲 | - |
| 功率耗散Pd | 150 mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 单向通道 | 1 |
| 双向通道 | - |
| 商标 | Toshiba |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 2-SMD,扁平引线 |
| 工作温度 | - |
| 工厂包装数量 | 8000 |
| 应用 | 通用 |
| 标准包装 | 8,000 |
| 电压-击穿(最小值) | 6.4V |
| 电压-反向关态(典型值) | 5V(最小值) |
| 电压-箝位(最大值)@Ipp | 9V (标准) |
| 电容 | 15 pF |
| 电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 1A (8/20µs) |
| 电源线路保护 | 无 |
| 类型 | 齐纳 |