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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供DDTB114GC-7-F由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DDTB114GC-7-F价格参考。Diodes Inc.DDTB114GC-7-F封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载DDTB114GC-7-F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有DDTB114GC-7-F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为DDTB114GC-7-F的晶体管,隶属于Diodes Incorporated品牌,属于预偏置型双极性晶体管(BJT),其设计特别适用于需要简化电路设计和提升稳定性的应用场景。该器件集成了基极偏置电阻,减少了外部元件数量,提升了电路的可靠性与一致性。 该晶体管主要应用于以下场景: 1. 便携式电子产品:如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等,因其小型化封装和低功耗特性,适合用于开关控制和信号处理。 2. 电源管理电路:可用于DC-DC转换器、负载开关、电源切换等场景,帮助实现高效能电源管理。 3. 逻辑接口电路:在数字电路与模拟电路之间实现电平转换或驱动能力增强,适用于逻辑控制与功率驱动之间的桥梁。 4. 传感器驱动电路:用于放大传感器信号或作为开关控制,常见于工业控制、消费电子和汽车电子中。 5. LED驱动与控制:可用于LED背光或指示灯的电流控制与开关操作,具备良好的稳定性和响应速度。 总之,DDTB114GC-7-F因其集成预偏置电阻、封装小巧、性能稳定,广泛应用于消费类电子、通信设备及工业控制等领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | DDTB114GC-7-F |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 300mV @ 2.5mA,50mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 56 @ 5mA,5V |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 500mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | 500nA(ICBO) |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | - |
| 频率-跃迁 | 200MHz |