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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供D45H2A由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 D45H2A价格参考。Fairchild SemiconductorD45H2A封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载D45H2A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有D45H2A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
D45H2A 是安森美(ON Semiconductor)推出的NPN型硅双极结型晶体管(BJT),属中功率通用放大/开关器件。其典型参数包括:集电极最大电流IC = 10 A,集电极-发射极击穿电压VCEO = 60 V,直流电流增益hFE(典型值)为30–90(IC = 2 A时),功率耗散PD ≈ 75 W(带合适散热器),适用于TO-3金属封装。 主要应用场景包括: 1. 线性稳压电源中的调整管:凭借较高耐压与电流能力,常用于串联型稳压电路的输出级,实现稳定电压调节; 2. 音频功率放大器的输出级:在中小功率AB类或A类功放中作为推动或末级放大管,驱动扬声器(需配对使用P型互补管如D44H11构成推挽); 3. 工业控制中的中功率开关:如继电器驱动、电机启停控制、电磁阀控制等,配合基极限流电阻实现可靠通断; 4. 电子镇流器与荧光灯驱动电路:用于高频振荡或半桥逆变拓扑中的开关元件(需注意开关速度限制,非高频优化型); 5. 老式模拟设备维修替代件:因D45H2A为经典型号,广泛用于上世纪80–90年代的电源、功放、仪器仪表中,现仍常用于维修替换。 需注意:该器件为低频/中频器件(fT约3 MHz),不适用于高频开关或射频应用;实际使用时须加装散热器并确保基极驱动充足,避免二次击穿。ON Semiconductor已逐步将部分产品线转向更新型高效器件,但D45H2A仍在工业及维修市场持续供应。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANSISTOR PNP 30V 8A TO-220两极晶体管 - BJT PNP Power Transistor |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Fairchild Semiconductor D45H2A- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | D45H2A |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 1V @ 400mA,8A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 100 @ 8A,5V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | TO-220 |
| 功率-最大值 | 60W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 1.800 g |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 25 MHz |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP |
| 最大功率耗散 | 60000 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 8 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 30V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 8A |
| 电流-集电极截止(最大值) | 10µA (ICBO) |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 100 |
| 系列 | D45H2A |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 30 V |
| 集电极连续电流 | 8 A |
| 频率-跃迁 | 25MHz |