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- 型号： CY7C2670KV18-550BZI
- 制造商： Cypress Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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CY7C2670KV18-550BZI产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CY7C2670KV18-550BZI由Cypress Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 提供CY7C2670KV18-550BZI价格参考以及Cypress SemiconductorCY7C2670KV18-550BZI封装/规格参数等产品信息。 你可以下载CY7C2670KV18-550BZI参考资料、Datasheet数据手册功能说明书， 资料中有CY7C2670KV18-550BZI详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CY7C2670KV18-550BZI 是 Cypress Semiconductor（现属英飞凌Infineon）推出的一款高性能同步SRAM（静态随机存取存储器），属于QDR™ II+（Quad Data Rate II Plus）类型，容量为72Mb（4M × 18位），工作频率达550MHz（tCLK = 1.8ns），支持双倍数据速率读写，具备独立读/写端口与突发访问能力。 其典型应用场景包括： - 高速网络设备：如核心路由器、交换机中的包缓冲、查找表（LUT）、FIB/CAM缓存，满足线速转发对低延迟、高带宽的需求； - 电信基础设施：基站基带处理单元（BBU）、OTN传输设备中用于FIFO缓冲、信道编码/解码中间数据暂存； - 测试与测量仪器：高端示波器、逻辑分析仪需大容量、纳秒级访问的深度采集缓存； - 军事与航空航天电子系统：在雷达信号处理、实时图像帧缓存等对可靠性、宽温（-40°C ~ +85°C，工业级I级）及抗干扰性要求严苛的场景中提供确定性时序性能； - FPGA协处理器接口：常作为Xilinx或Intel FPGA的高速外部存储器，用于加速数据流处理（如视频处理、AI边缘推理预处理）。 该器件采用165-ball FBGA封装（13×15mm），支持SSTL_18电平，具备可编程输出驱动强度、可选奇偶校验及掉电模式，兼顾性能与功耗控制。适用于需确定性低延迟、持续高吞吐（双向可达8.8 GB/s）的关键实时嵌入式系统。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 144MBIT 550MHZ 165FBGA |
| 产品分类 | |
| 品牌 | Cypress Semiconductor Corp |
| 数据手册 | http://www.cypress.com/?docID=49042 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CY7C2670KV18-550BZI |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 165-FBGA（15x17） |
| 其它名称 | CY7C2670KV18550BZI |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | SRAM - 同步，DDR II+ |
| 存储容量 | 144M（4M x 36） |
| 封装/外壳 | 165-LBGA |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 105 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/cypress-semiconductor-qdr-extreme-sram/2805 |
| 电压-电源 | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 速度 | 550MHz |
