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型号： CY7C2544KV18-300BZI
制造商： Cypress Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供CY7C2544KV18-300BZI由Cypress Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY7C2544KV18-300BZI价格参考。Cypress SemiconductorCY7C2544KV18-300BZI封装/规格：未分类，暂无。您可以下载CY7C2544KV18-300BZI参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CY7C2544KV18-300BZI 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

CY7C2544KV18-300BZI 是 Cypress Semiconductor Corp（现属英飞凌）推出的一款高性能同步静态RAM（SSRAM），属于存储器类别。该器件为18Mb（1M × 18位）流水线型突发SRAM，工作频率达300MHz（3.3ns周期），支持QDR（Quad Data Rate）或DDR接口模式，具备低延迟、高带宽和确定性时序特性。

其典型应用场景包括：  
- 网络通信设备：用作路由器、交换机、防火墙中的高速缓存或数据包缓冲区，满足线速转发对低延迟与突发吞吐的需求；  
- 电信基础设施：在基站（如LTE/5G BBU）、光传输设备中承担信元/帧缓存、FIFO缓冲及速率匹配功能；  
- 测试与测量仪器：高速逻辑分析仪、示波器等需实时采集并暂存大量采样数据的场景；  
- 工业与嵌入式系统：高可靠性要求的实时控制平台中作为CPU或FPGA的片外高速缓存或共享内存；  
- 军事/航空航天电子：因该型号提供工业级（-40°C ~ +85°C）及扩展温度版本（本型号后缀“ZI”即表示工业级），适用于严苛环境下的关键缓存应用。

该芯片采用165-ball FBGA封装（13mm × 15mm），支持可编程突发长度、写入掩码及多种省电模式，便于系统功耗优化。需注意其已进入Cypress产品生命周期末期（EOL），设计中建议评估替代方案（如英飞凌后续兼容型号或同类QDR-IV SRAM）。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	集成电路 (IC)
描述	IC SRAM 72MBIT 300MHZ 165FBGA
产品分类	存储器
品牌	Cypress Semiconductor Corp
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	CY7C2544KV18-300BZI
rohs	含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	165-FBGA（13x15）
包装	托盘
存储器类型	SRAM - 同步，QDR II+
存储容量	72M（2M x 36）
封装/外壳	165-LBGA
工作温度	-40°C ~ 85°C
接口	并联
标准包装	136
格式-存储器	RAM
电压-电源	1.7 V ~ 1.9 V
速度	300MHz