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产品简介:
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CY7C1615KV18-333BZXC 是 Cypress Semiconductor(现属英飞凌)推出的高性能同步SRAM(静态随机存取存储器),属于1.8V低电压、333MHz(3ns周期)、2Mb × 18位(共36Mb)的QDR-II+(Quad Data Rate II Plus)架构器件。其典型应用场景包括: - 高速网络设备:用于路由器、交换机、防火墙中的数据包缓冲、查找表(如TCAM辅助缓存)和队列管理,凭借QDR-II+双沿采样与独立读/写端口,支持高吞吐、低延迟的并行访问。 - 通信基础设施:在基站(如4G/LTE、5G前传/中传单元)、光传输系统(OTN)中,作为FPGA或ASIC的片外高速缓存,处理实时信号处理、流量整形及协议解析所需的突发性大带宽数据暂存。 - 测试与测量仪器:高端示波器、逻辑分析仪等需高速采集与实时波形缓存,该器件提供确定性低延迟访问,满足深度存储与快速回读需求。 - 军事与航空航天电子系统:因具备工业级温度范围(–40°C 至 +85°C)及符合JESD22可靠性标准,适用于雷达信号处理、电子战设备中对稳定性与抗干扰要求严苛的高速缓存场景。 该芯片不适用于大容量长期存储(如硬盘替代),亦非通用主存;其核心价值在于为FPGA、DSP、网络处理器等提供可预测、零等待周期的极高速片外数据交换通道。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 144MBIT 333MHZ 165FBGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Cypress Semiconductor Corp |
| 数据手册 | http://www.cypress.com/?docID=49043 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CY7C1615KV18-333BZXC |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 165-FBGA(15x17) |
| 其它名称 | CY7C1615KV18333BZXC |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | SRAM - 同步,QDR II |
| 存储容量 | 144M(4M x 36) |
| 封装/外壳 | 165-LBGA |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 105 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 速度 | 333MHz |