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  • 型号: CY7C15631KV18-450BZC
  • 制造商: Cypress Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供CY7C15631KV18-450BZC由Cypress Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY7C15631KV18-450BZC价格参考。Cypress SemiconductorCY7C15631KV18-450BZC封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载CY7C15631KV18-450BZC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有CY7C15631KV18-450BZC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

CY7C15631KV18-450BZC 是 Cypress Semiconductor Corp(现属英飞凌Infineon)推出的一款高性能同步SRAM(静态随机存取存储器),属于QDR™ II+(Quad Data Rate II Plus)架构的18位宽、1Mb容量(64K × 18)CMOS SRAM,工作频率达450MHz(2.2ns周期),支持双倍数据速率读/写,具备独立读写端口和流水线式地址输入。

其典型应用场景包括:  
- 高速网络设备:如核心路由器、交换机中的包缓冲、查找表(LUT)、FIB(转发信息库)缓存及流量管理模块,利用QDR-II+低延迟、高带宽(最高约16.2 GB/s有效带宽)特性满足线速处理需求;  
- 电信基础设施:基站基带处理单元(BBU)、OTN/SDH传输设备中的信元/帧缓存与调度缓冲;  
- 高端测试仪器与FPGA协处理器系统:作为FPGA(如Xilinx UltraScale/Kintex)的外部高速缓存或数据流暂存器,用于实时信号采集、数字下变频(DDC)或波束成形数据交换;  
- 军事/航天嵌入式系统:因该器件符合工业级温度范围(–40°C 至 +85°C)及高可靠性设计,适用于雷达信号处理、电子对抗等对确定性时序和抗干扰能力要求严苛的场景。

注:该型号已进入产品寿命终止(EOL)阶段,当前多由英飞凌提供兼容替代方案(如PSRAM或新型QDR-IV器件),新设计建议评估迁移路径。
产品参数 图文手册 常见问题
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