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- 型号： CY7C1513JV18-250BZXC
- 制造商： Cypress Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CY7C1513JV18-250BZXC由Cypress Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY7C1513JV18-250BZXC价格参考。Cypress SemiconductorCY7C1513JV18-250BZXC封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CY7C1513JV18-250BZXC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CY7C1513JV18-250BZXC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CY7C1513JV18-250BZXC 是 Cypress Semiconductor Corp（现属英飞凌 Technologies）推出的一款高性能同步静态随机存取存储器（SSRAM），具体为 1.8V、16Mb（1M × 16）流水线型 burst SSRAM，访问时间250ps（即2.5ns周期，250 MHz工作频率），采用119-ball BGA封装。 该器件主要面向对低延迟、高带宽和确定性时序要求严苛的嵌入式与通信应用。典型应用场景包括： - 网络设备：用作路由器、交换机中的数据包缓冲、FIFO缓存或查找表（如TCAM辅助缓存），支持高速以太网（10G/25G）数据流暂存； - 工业与通信控制器：在FPGA/ASIC协处理器系统中作为高速本地缓存，提升指令/数据吞吐效率； - 测试测量设备：用于实时信号采集与处理系统中暂存高速ADC采样数据； - 军事/航空电子系统：凭借其宽温范围（–40°C 至 +85°C）、高可靠性及无刷新设计，适用于抗干扰、低功耗关键任务场景。 需注意：该芯片已于2021年进入产品生命周期终止（EOL）阶段，英飞凌建议迁移到兼容替代型号（如Infineon的新型QDR-IV或LPDDR系列），但现有设备中仍广泛用于维护与替换场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 72MBIT 250MHZ 165FBGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Cypress Semiconductor Corp |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CY7C1513JV18-250BZXC |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 165-FBGA（15x17） |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | SRAM - 同步，QDR II |
| 存储容量 | 72M（4M x 18） |
| 封装/外壳 | 165-LBGA |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 105 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 速度 | 250MHz |
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