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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供CY7C1470V33-200BZI由Cypress Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY7C1470V33-200BZI价格参考。Cypress SemiconductorCY7C1470V33-200BZI封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载CY7C1470V33-200BZI参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有CY7C1470V33-200BZI 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CY7C1470V33-200BZI 是英飞凌(Infineon Technologies)旗下的一款高性能同步静态随机存取存储器(SSRAM),属于QDR™ II(Quad Data Rate II)类型,容量为18Mb(512K × 36位),工作频率达200MHz(周期时间5ns),采用165-ball BGA封装,工业级温度范围(–40°C 至 +85°C),并支持低功耗设计。 其主要应用场景包括: 1. 网络通信设备:广泛用于高端路由器、交换机和基站中的数据包缓冲、FIFO队列、地址表缓存等,得益于QDR-II的双沿读/写+独立读写端口特性,可实现高吞吐、零等待的并发读写操作,满足线速转发需求; 2. 电信基础设施:在OTN、SDH/SONET传输系统及无线接入网(如4G LTE基带、5G前传/中传单元)中,承担高速信号处理链路中的暂存与调度任务; 3. 测试与测量仪器:如高速逻辑分析仪、协议分析仪,利用其确定性低延迟和稳定时序保障实时数据捕获; 4. 军工与工业控制:适用于对可靠性、宽温性能和抗干扰能力要求严苛的嵌入式系统,如雷达信号处理、航空电子数据缓冲模块。 需注意:该器件已于2019年进入产品生命周期终止(EOL)阶段,英飞凌已停止量产,当前多见于存量设备维护或替代方案升级项目中。实际选型建议参考Infineon官方替代型号(如QDR-IV系列)或评估兼容的Cypress(现属Infineon)后续平台。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC)半导体 |
| 描述 | IC SRAM 72MBIT 200MHZ 165FBGA静态随机存取存储器 72MB (2Mx36) 3.3v 200MHz 静态随机存取存储器 |
| 产品分类 | 存储器集成电路 - IC |
| 品牌 | Cypress Semiconductor Corp |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 否含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 内存,静态随机存取存储器,Cypress Semiconductor CY7C1470V33-200BZINoBL™ |
| 数据手册 | http://www.cypress.com/?docID=46217 |
| 产品型号 | CY7C1470V33-200BZI |
| 产品种类 | 静态随机存取存储器 |
| 供应商器件封装 | 165-FBGA(15x17) |
| 其它名称 | 428-3266 |
| 包装 | 托盘 |
| 商标 | Cypress Semiconductor |
| 存储器类型 | SRAM - 同步 |
| 存储容量 | 72M(2M x 36) |
| 存储类型 | SDR |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tray |
| 封装/外壳 | 165-LBGA |
| 封装/箱体 | FBGA-165 |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 工厂包装数量 | 105 |
| 接口 | 并联 |
| 最大工作温度 | + 85 C |
| 最大工作电流 | 500 mA |
| 最大时钟频率 | 200 MHz |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 标准包装 | 105 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 3.135 V ~ 3.6 V |
| 电源电压-最大 | 3.6 V |
| 电源电压-最小 | 3.135 V |
| 类型 | Synchronous |
| 系列 | CY7C1470V33 |
| 组织 | 2 M x 36 |
| 访问时间 | 3 ns |
| 速度 | 200MHz |