Datasheet下载- 型号： CY7C1426KV18-300BZC
- 制造商： Cypress Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CY7C1426KV18-300BZC由Cypress Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY7C1426KV18-300BZC价格参考。Cypress SemiconductorCY7C1426KV18-300BZC封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CY7C1426KV18-300BZC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CY7C1426KV18-300BZC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CY7C1426KV18-300BZC 是 Cypress Semiconductor（现属英飞凌）推出的一款高性能同步SRAM（静态随机存取存储器），属于QDR™ II+（Quad Data Rate II Plus）类型，18位数据总线，工作频率达300 MHz（周期时间3.33 ns），支持双倍数据速率读写，具备独立读/写端口，低延迟、高吞吐量。 典型应用场景包括： - 网络通信设备：用作路由器、交换机、防火墙中的高速缓存或FIFO缓冲，支撑包处理、查表（如CAM辅助）、流量调度等实时性要求严苛的任务； - 电信基础设施：在基站基带处理单元（BBU）、光传输设备（OTN/SDH）中作为协处理器或DSP的本地高速数据暂存区； - 测试与测量仪器：如高速逻辑分析仪、示波器，用于实时采集并暂存海量高速采样数据； - 军事/航空电子系统：在雷达信号处理、图像实时拼接等对可靠性、宽温（该器件为工业级，–40°C 至 +85°C）和抗辐射性能有要求的场景中提供确定性低延迟访问； - FPGA/ASIC协同设计：常作为Xilinx或Intel FPGA的外挂高速缓存，弥补片上Block RAM容量不足，提升数据流处理带宽。 该器件采用165-ball FBGA封装（13 mm × 15 mm），支持JTAG边界扫描，符合RoHS标准，适用于需纳秒级访问、无刷新需求、高可靠性的嵌入式实时系统。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 36MBIT 300MHZ 165FBGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Cypress Semiconductor Corp |
| 数据手册 | http://www.cypress.com/?docID=49413 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CY7C1426KV18-300BZC |
| PCN组件/产地 | http://www.cypress.com/?docID=47156 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 165-FBGA（13x15） |
| 其它名称 | CY7C1426KV18300BZC |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | SRAM - 同步，QDR II |
| 存储容量 | 36M（4M x 9） |
| 封装/外壳 | 165-LBGA |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 136 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 速度 | 300MHz |
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