Datasheet下载- 型号： CY7C1426JV18-300BZXC
- 制造商： Cypress Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CY7C1426JV18-300BZXC由Cypress Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY7C1426JV18-300BZXC价格参考。Cypress SemiconductorCY7C1426JV18-300BZXC封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CY7C1426JV18-300BZXC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CY7C1426JV18-300BZXC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CY7C1426JV18-300BZXC 是 Cypress Semiconductor（现属英飞凌）推出的高性能同步静态RAM（SSRAM），属于存储器类别。该器件为1.8V供电、16Mbit（1M×16）容量、300MHz（3.3ns周期）高速异步/同步兼容SRAM，采用119-ball BGA封装，支持QDR-II+类读写时序，具备低功耗与高可靠性特点。 典型应用场景包括： 1. 网络通信设备：用作路由器、交换机中的数据包缓存、FIFO缓冲或查找表（LUT）存储，满足高速数据吞吐与低延迟需求； 2. 工业与嵌入式系统：在FPGA/ASIC协处理器旁作为高速片外缓存，支撑实时图像处理、运动控制等对确定性时序敏感的任务； 3. 测试测量仪器：如高速逻辑分析仪、示波器中用于暂存采样数据，利用其单周期随机访问能力实现无缝连续采集； 4. 军事与航空电子：凭借宽温（–40°C至+85°C）、抗干扰及AEC-Q200兼容设计（注：本型号非车规，但Cypress同类产品有工业/军温版本），适用于严苛环境下的关键缓存应用。 需注意：该型号已进入产品生命周期末期（EOL），Cypress官方建议迁移到英飞凌后续替代方案（如PSRAM或新型LPDDR系列），新设计宜评估替代器件。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 36MBIT 300MHZ 165FBGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Cypress Semiconductor Corp |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CY7C1426JV18-300BZXC |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 165-FBGA（15x17） |
| 其它名称 | CY7C1426JV18300BZXC |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | SRAM - 同步，QDR II |
| 存储容量 | 36M（4M x 9） |
| 封装/外壳 | 165-LBGA |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 102 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 速度 | 300MHz |
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