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产品简介:
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CY7C1423JV18-267BZXC 是 Cypress Semiconductor(现属英飞凌)推出的高性能同步SRAM(静态随机存取存储器),属于1.8V低电压、267MHz(3.75ns周期)的18位×128K(2.25Mb)QDR-II+ SRAM。其典型应用场景包括: - 高速网络设备:用于路由器、交换机及网络处理器(NPU)中的数据包缓存、队列管理与查找表(如TCAM辅助缓存),凭借QDR-II+双数据速率读写能力(独立读/写端口),支持高吞吐流水线操作。 - 电信基础设施:在基站基带处理单元(BBU)、光传输设备(OTN/SDH)中用作FPGA或ASIC的高速暂存器,满足实时信号处理对低延迟、确定性访问时序的严苛要求。 - 测试与测量仪器:高端示波器、逻辑分析仪中作为深度采集缓存,利用其无等待、零刷新延迟特性实现连续高速数据捕获。 - 工业与医疗成像系统:如超声或CT图像预处理模块,需在FPGA与DSP间桥接高速视频流,该器件支持突发模式和可编程输出驱动强度,适配不同PCB布线需求。 封装为165-ball FBGA(ZXC),工作温度范围为–40°C ~ +85°C(工业级),具备JTAG边界扫描支持,适用于高可靠性嵌入式环境。需注意:该型号已进入产品生命周期末期(EOL),新设计建议评估英飞凌兼容替代方案(如PSRAM或新型QDR-IV器件)。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 36MBIT 267MHZ 165FBGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Cypress Semiconductor Corp |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CY7C1423JV18-267BZXC |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 165-FBGA(15x17) |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | SRAM - 同步,DDR II |
| 存储容量 | 36M(2M x 18) |
| 封装/外壳 | 165-LBGA |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 105 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 速度 | 267MHz |