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- 型号： CY7C1415BV18-167BZI
- 制造商： Cypress Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CY7C1415BV18-167BZI由Cypress Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY7C1415BV18-167BZI价格参考。Cypress SemiconductorCY7C1415BV18-167BZI封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CY7C1415BV18-167BZI参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CY7C1415BV18-167BZI 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CY7C1415BV18-167BZI 是 Cypress Semiconductor（现属英飞凌）推出的高性能同步SRAM（静态随机存取存储器），属于1.8V供电的18位总线、2Mb（128K × 18）容量QDR II+（Quad Data Rate II Plus）SRAM。其典型应用场景包括： - 高速网络设备：广泛用于路由器、交换机、防火墙等的包缓冲、队列管理及查找表（如TCAM辅助缓存），得益于QDR II+双沿采样与独立读/写端口，支持高达333MHz时钟下666MT/s数据吞吐，满足线速转发需求。 - 通信基站与无线基础设施：在4G/5G基带处理单元中用作FPGA或DSP的低延迟本地缓存，支撑实时信号处理（如FFT、信道编码/解码）所需的大带宽、确定性访问。 - 测试测量与高端工业设备：在高速逻辑分析仪、协议分析仪中作为深度数据采集缓存，确保无丢帧连续捕获；亦用于雷达信号处理、实时图像预处理等对存取延迟敏感的嵌入式系统。 - 军事与航天（因ZI后缀代表-40°C~85°C工业级温度范围，含无铅、符合RoHS）：适用于加固型通信终端、航电数据记录模块等需高可靠性与宽温稳定性的场景。 该器件不适用于大容量长期存储（非Flash/DRAM），核心价值在于纳秒级访问延迟（tAA ≤ 5.5ns）、零等待周期突发传输及卓越的读写并发能力，是高性能嵌入式系统中关键的“桥梁型”高速缓存元件。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 36MBIT 167MHZ 165FBGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Cypress Semiconductor Corp |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CY7C1415BV18-167BZI |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 165-FBGA（15x17） |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | SRAM - 同步，QDR II |
| 存储容量 | 36M（1M x 36） |
| 封装/外壳 | 165-LBGA |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 105 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 速度 | 167MHz |
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