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- 型号： CY7C1414BV18-200BZI
- 制造商： Cypress Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CY7C1414BV18-200BZI由Cypress Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY7C1414BV18-200BZI价格参考。Cypress SemiconductorCY7C1414BV18-200BZI封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CY7C1414BV18-200BZI参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CY7C1414BV18-200BZI 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CY7C1414BV18-200BZI 是 Cypress Semiconductor（现属英飞凌）推出的高性能同步静态RAM（SSRAM），属于存储器类别。该器件为1Mb（64K×16位）双端口SRAM，支持QDR-II+架构，工作频率达200MHz（周期时间5ns），具备低延迟、高带宽和双时钟域（K/K#）特性。 典型应用场景包括： - 网络通信设备：用作路由器、交换机中的数据包缓存、FIFO缓冲或查找表（LUT）存储，满足高速数据吞吐与低延迟要求； - 电信基础设施：在基站基带处理单元（BBU）、ATM交换芯片中承担突发数据暂存与速率匹配； - 工业与嵌入式系统：用于实时控制卡、图像采集卡、视频处理模块中作为帧缓存或中间数据缓冲，支持多主设备并行访问； - 测试测量仪器：在高速逻辑分析仪、示波器中实现深度采样数据的快速写入与读取； - 军事/航天领域（因ZI后缀表示–40°C至+85°C工业级温度范围，含部分抗辐射设计基础）：用于高可靠性数据暂存场景（需配合额外认证）。 其双端口特性与QDR-II+接口（分离读/写数据总线）可有效避免总线争用，提升系统效率。虽已停产（Cypress于2020年并入英飞凌，该型号进入产品寿命末期），但仍广泛用于存量设备维护及兼容性升级项目中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 36MBIT 200MHZ 165FBGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Cypress Semiconductor Corp |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CY7C1414BV18-200BZI |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 165-FBGA（15x17） |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | SRAM - 同步，QDR II |
| 存储容量 | 36M（1M x 36） |
| 封装/外壳 | 165-LBGA |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 105 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 速度 | 200MHz |
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