Datasheet下载- 型号： CY7C1412BV18-167BZC
- 制造商： Cypress Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CY7C1412BV18-167BZC由Cypress Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY7C1412BV18-167BZC价格参考。Cypress SemiconductorCY7C1412BV18-167BZC封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CY7C1412BV18-167BZC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CY7C1412BV18-167BZC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CY7C1412BV18-167BZC 是 Cypress Semiconductor（现属英飞凌）推出的高性能同步SRAM（静态随机存取存储器），属于1.8V供电的1M×18位（18Mb）QDR II+ SRAM。其典型应用场景包括： - 高速网络设备：如核心路由器、交换机及网络处理器（NPU）的数据包缓冲、查找表（LUT）、队列管理，得益于QDR II+双数据速率、读写独立端口和167MHz时钟（334MT/s有效带宽），可满足线速转发需求。 - 电信与基站设备：在4G/LTE基带处理、5G前传/中传接口中用作FPGA或ASIC的高速缓存或暂存器，支撑低延迟、高吞吐的数据流处理。 - 测试测量与高端工业系统：如高速逻辑分析仪、协议分析仪、实时信号采集卡等，需大带宽、确定性访问的中间缓存。 - 军事与航空电子：因该器件采用无铅、符合RoHS的BGA封装（165-ball FBGA），并支持工业级温度范围（–40°C至+85°C），适用于对可靠性与稳定性要求严苛的嵌入式系统。 注：该芯片已进入产品生命周期末期（EOL），Cypress/Infineon建议转向QDR IV或替代架构（如RLDRAM或高速DDR），但现有设备仍广泛用于上述成熟系统中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 36MBIT 167MHZ 165FBGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Cypress Semiconductor Corp |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CY7C1412BV18-167BZC |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 165-FBGA（15x17） |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | SRAM - 同步，QDR II |
| 存储容量 | 36M（2M x 18） |
| 封装/外壳 | 165-LBGA |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 105 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 速度 | 167MHz |
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