Datasheet下载- 型号： CY7C1321KV18-250BZXC
- 制造商： Cypress Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CY7C1321KV18-250BZXC由Cypress Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY7C1321KV18-250BZXC价格参考。Cypress SemiconductorCY7C1321KV18-250BZXC封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CY7C1321KV18-250BZXC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CY7C1321KV18-250BZXC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CY7C1321KV18-250BZXC 是 Cypress Semiconductor（现属英飞凌）推出的高性能同步SRAM（静态随机存取存储器），属于K系列18位总线宽度的QDR II+ SRAM。其主要应用场景包括： - 高速网络设备：广泛用于路由器、交换机、防火墙等核心数据路径中，作为包缓冲、查找表（如TCAM辅助缓存）、队列管理及流量整形的高速暂存器，得益于其双数据速率（QDR II+）、250MHz时钟（500MT/s有效带宽）和独立读/写端口，可实现零等待、无冲突的并发读写。 - 电信与基站设备：在4G LTE/5G无线基站的基带处理单元（BBU）中，用作FPGA或DSP的低延迟外扩缓存，支撑实时信号处理、信道编码/解码及MAC层调度。 - 测试测量与高端工业控制：适用于高速数据采集系统、实时频谱分析仪及高精度运动控制器，满足纳秒级访问延迟与确定性时序要求。 - 军事与航空电子：因该器件支持工业级温度范围（–40°C 至 +85°C）及符合JEDEC标准的可靠性设计，亦见于雷达信号处理、航电数据记录等对稳定性与速度双重要求的场景。 注：该芯片已于Cypress产品生命周期后期，当前建议评估英飞凌后续兼容方案（如PSRAM或新型LPDDR接口器件）以保障长期供应。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 18MBIT 250MHZ 165FBGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Cypress Semiconductor Corp |
| 数据手册 | http://www.cypress.com/?docID=49117 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CY7C1321KV18-250BZXC |
| PCN组件/产地 | http://www.cypress.com/?docID=47156 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 165-FBGA（13x15） |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | SRAM - 同步，DDR II |
| 存储容量 | 18M（512K x 36） |
| 封装/外壳 | 165-LBGA |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 136 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 速度 | 250MHz |
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