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详细数据请看参考数据手册
- 型号： CY7C1318KV18-333BZC
- 制造商： Cypress Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CY7C1318KV18-333BZC由Cypress Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY7C1318KV18-333BZC价格参考。Cypress SemiconductorCY7C1318KV18-333BZC封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CY7C1318KV18-333BZC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CY7C1318KV18-333BZC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CY7C1318KV18-333BZC 是 Cypress Semiconductor（现属英飞凌）推出的高性能同步双端口静态RAM（SRAM），属于存储器类别。该器件为1.8V供电、256K × 18位（4.5Mb）配置，支持333MHz DDR数据速率（tCLK = 3ns），具备独立的A/B端口、真正双向数据总线及硬件邮箱中断功能。 典型应用场景包括： - 通信设备：在高速网络交换机、路由器中用作数据包缓冲、FIFO或共享内存，支撑多处理器/ASIC间低延迟、无冲突的数据交换； - 工业与嵌入式系统：用于PLC、运动控制器或多核MCU架构中，实现主控单元与协处理器（如FPGA、DSP）之间的实时数据共享与同步； - 测试测量仪器：在高速逻辑分析仪、示波器中作为深度采集缓存，利用双端口特性实现“边写边读”，保障连续采样与实时处理并行； - 航空航天与军用电子：凭借工业级温度范围（–40°C 至 +85°C）、高可靠性及无内置刷新需求的SRAM特性，适用于雷达信号处理、航电数据总线桥接等关键任务场景。 其333MHz DDR接口、低功耗1.8V核心电压及BGA封装（165-ball Fine-Pitch BGA），兼顾性能、能效与PCB空间约束，适用于对确定性延迟、并发访问和数据完整性要求严苛的中高端嵌入式系统。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 18MBIT 333MHZ 165FBGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Cypress Semiconductor Corp |
| 数据手册 | http://www.cypress.com/?docID=49599 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CY7C1318KV18-333BZC |
| PCN组件/产地 | http://www.cypress.com/?docID=47156 |
| PCN过时产品 | http://www.cypress.com/?docID=44765 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 165-FBGA（13x15） |
| 其它名称 | CY7C1318KV18333BZC |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | SRAM - 同步，DDR II |
| 存储容量 | 18M（1M x 18） |
| 封装/外壳 | 165-LBGA |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 136 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 速度 | 333MHz |
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