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- 型号： CY7C1318BV18-250BZC
- 制造商： Cypress Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CY7C1318BV18-250BZC由Cypress Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY7C1318BV18-250BZC价格参考。Cypress SemiconductorCY7C1318BV18-250BZC封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CY7C1318BV18-250BZC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CY7C1318BV18-250BZC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CY7C1318BV18-250BZC 是赛普拉斯（现属英飞凌）推出的高性能同步SRAM（静态随机存取存储器），属于1.8V低电压、250MHz（4ns读写周期）、512K × 18位（9Mb）的双端口/单端口可配置SRAM。其典型应用场景包括： - 高速数据缓存与缓冲：广泛用于网络设备（如交换机、路由器）中的包缓冲、流量整形和队列管理，满足低延迟、高吞吐需求； - 工业与嵌入式控制系统：在PLC、运动控制器、实时图像采集系统中，作为CPU或FPGA的高速本地工作内存，支撑确定性实时响应； - 测试测量仪器：如逻辑分析仪、高速示波器的数据暂存模块，利用其无等待、全同步接口特性实现连续高速采样数据暂存； - 通信基站与信号处理：在基带处理单元（BBU）中配合DSP/FPGA完成FFT、滤波等算法中间结果缓存； - 航空航天与军工领域：凭借工业级温度范围（–40°C 至 +85°C）、符合JESD22可靠性标准及无内置刷新机制（非易失性SRAM特性），适用于高可靠性要求场景。 该器件采用165-ball BGA封装（ZC后缀），支持QDR-II+兼容接口模式，具备独立读/写使能、字节写控制等增强功能，特别适合对时序精度、功耗和稳定性有严苛要求的中高端嵌入式系统。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 18MBIT 250MHZ 165FBGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Cypress Semiconductor Corp |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CY7C1318BV18-250BZC |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 165-FBGA（13x15） |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | SRAM - 同步，DDR II |
| 存储容量 | 18M（1M x 18） |
| 封装/外壳 | 165-LBGA |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 136 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 速度 | 250MHz |
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