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详细数据请看参考数据手册
- 型号： CY7C1315KV18-300BZC
- 制造商： Cypress Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CY7C1315KV18-300BZC由Cypress Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY7C1315KV18-300BZC价格参考。Cypress SemiconductorCY7C1315KV18-300BZC封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CY7C1315KV18-300BZC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CY7C1315KV18-300BZC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CY7C1315KV18-300BZC 是 Cypress Semiconductor（现属英飞凌）推出的高性能同步SRAM（静态随机存取存储器），属于1.8V低电压、300MHz（3.3ns访问时间）、2Mb（128K × 18位）QDR II+架构器件。其典型应用场景包括： - 高速网络设备：如路由器、交换机、防火墙中的数据包缓冲、FIFO队列、查找表（LUT）和TCAM辅助缓存，利用QDR II+双数据速率特性实现读写并发，满足线速处理需求。 - 电信与基站设备：在4G/5G无线基站的基带处理单元（BBU）中，用作FPGA或DSP的低延迟外部缓存，支撑实时信号处理（如FFT、信道编码/解码）的数据暂存。 - 测试测量仪器：高端示波器、逻辑分析仪等需高速采集与暂存大量实时波形数据，该芯片提供确定性低延迟与高吞吐（最高达1.2 GB/s），保障采样完整性。 - 工业自动化与嵌入式系统：用于运动控制卡、实时PLC模块中，作为CPU与高速I/O之间的桥梁，确保硬实时任务下的确定性响应。 - 军事与航空航天电子：因具备工业级温度范围（–40°C 至 +85°C）、符合JESD22可靠性标准及无内置刷新机制（SRAM固有优势），适用于抗辐射加固设计中的关键缓存应用。 注：该器件已于2020年进入产品寿命终止（EOL）阶段，当前多被英飞凌后续QDR IV或LPDDR系列替代，新设计建议评估兼容升级方案。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 18MBIT 300MHZ 165FBGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Cypress Semiconductor Corp |
| 数据手册 | http://www.cypress.com/?docID=49116 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CY7C1315KV18-300BZC |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 165-FBGA（13x15） |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | SRAM - 同步，QDR II |
| 存储容量 | 18M（512K x 36） |
| 封装/外壳 | 165-LBGA |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 136 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 速度 | 300MHz |
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