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- 型号： CY7C1315CV18-250BZI
- 制造商： Cypress Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CY7C1315CV18-250BZI由Cypress Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY7C1315CV18-250BZI价格参考。Cypress SemiconductorCY7C1315CV18-250BZI封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CY7C1315CV18-250BZI参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CY7C1315CV18-250BZI 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CY7C1315CV18-250BZI 是赛普拉斯（现属英飞凌）推出的高性能同步SRAM（静态随机存取存储器），属于“存储器”类别，工作电压1.8V，速度250MHz（4ns读写周期），采用165-ball BGA封装（ZI后缀表示工业级温度范围：–40°C 至 +85°C）。 其典型应用场景包括： 🔹 高速网络设备——如路由器、交换机、防火墙中的数据包缓存与队列管理，利用其零等待、低延迟特性保障线速转发； 🔹 通信基站与光传输系统——用于FPGA/ASIC的本地高速缓存、信道缓冲或协议处理中间数据暂存； 🔹 工业自动化与嵌入式系统——在PLC、运动控制器或实时图像采集卡中，为DSP/FPGA提供确定性低延迟内存支持； 🔹 测试测量仪器——示波器、逻辑分析仪等需高速采集与暂存大量采样数据的场景； 🔹 航空航天与国防电子——得益于工业级温度和高可靠性设计，适用于加固型机载/舰载信号处理模块（需配合额外认证）。 该器件不适用于大容量存储（如替代DDR或Flash），而是聚焦于对时序严格、功耗敏感、需纳秒级访问的嵌入式缓存层。应用时需注意PCB布局的信号完整性及电源滤波设计，以充分发挥其性能。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 18MBIT 250MHZ 165FBGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Cypress Semiconductor Corp |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CY7C1315CV18-250BZI |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 165-FBGA（13x15） |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | SRAM - 同步，QDR II |
| 存储容量 | 18M（512K x 36） |
| 封装/外壳 | 165-LBGA |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 136 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 速度 | 250MHz |
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