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详细数据请看参考数据手册
- 型号： CY7C1314KV18-333BZC
- 制造商： Cypress Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CY7C1314KV18-333BZC由Cypress Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY7C1314KV18-333BZC价格参考。Cypress SemiconductorCY7C1314KV18-333BZC封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CY7C1314KV18-333BZC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CY7C1314KV18-333BZC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CY7C1314KV18-333BZC是Cypress Semiconductor Corp（现为英飞凌科技公司旗下）推出的一款高速、低功耗的双端口静态随机存取存储器（SRAM），属于其SyncBurst™系列。该器件容量为512K × 18位，工作频率高达333MHz，采用1.8V核心电压，适用于对性能和能效要求较高的系统。 主要应用场景包括：高性能网络设备（如路由器、交换机），用于数据包缓冲和快速查找表存储；通信基础设施中的基站和传输设备，支持高速数据交换与实时处理；工业自动化控制系统，提供可靠的实时数据存储与访问；以及测试测量仪器和高端嵌入式系统，满足其对低延迟、高带宽存储的需求。 该芯片具备同步突发模式读写功能，可显著提升数据吞吐率，并支持多种省电模式，有助于降低系统整体功耗。其BGA封装形式（ZC后缀）有利于高密度PCB布局，适合空间受限但性能要求严苛的设计。综上，CY7C1314KV18-333BZC广泛应用于需要高速、稳定、低功耗双端口存储解决方案的中高端电子系统中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 18MBIT 333MHZ 165FBGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Cypress Semiconductor Corp |
| 数据手册 | http://www.cypress.com/?docID=49111 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CY7C1314KV18-333BZC |
| PCN组件/产地 | http://www.cypress.com/?docID=47156 |
| PCN过时产品 | http://www.cypress.com/?docID=44765 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 165-FBGA（13x15） |
| 其它名称 | CY7C1314KV18333BZC |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | SRAM - 同步，QDR II |
| 存储容量 | 18M（512K x 36） |
| 封装/外壳 | 165-LBGA |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 136 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 速度 | 333MHz |
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