Datasheet下载- 型号： CY7C1312BV18-200BZXC
- 制造商： Cypress Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CY7C1312BV18-200BZXC由Cypress Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY7C1312BV18-200BZXC价格参考。Cypress SemiconductorCY7C1312BV18-200BZXC封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CY7C1312BV18-200BZXC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CY7C1312BV18-200BZXC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CY7C1312BV18-200BZXC 是 Cypress Semiconductor Corp（现属英飞凌科技）推出的高性能同步SRAM（静态随机存取存储器），属于1.8V低电压、2MB（128K × 18位）QDR-II+（Quad Data Rate II Plus）架构器件。其典型应用场景包括： - 高速网络设备：广泛用于路由器、交换机、防火墙等的包缓冲、队列管理及查找表（如TCAM辅助缓存），得益于QDR-II+双沿采样与独立读/写端口，支持高达200MHz时钟下400MT/s数据吞吐，满足线速转发需求。 - 电信基础设施：在基站基带处理单元（BBU）、光传输系统（OTN/SDH）中用作FPGA或DSP的高速暂存器，支撑实时信号处理、帧缓存和协议解析。 - 测试测量与高端工业设备：适用于高速数据采集卡、逻辑分析仪等需大容量、低延迟片外缓存的场景，保障突发数据无丢包捕获。 - 军事与航空航天嵌入式系统：凭借工业级温度范围（–40°C 至 +85°C）及符合JESD22-A110可靠性标准，适用于高可靠性要求的实时控制与雷达信号处理平台。 该器件采用165-ball FBGA封装（BZXC后缀），支持可编程驱动强度、输出阻抗校准（ODT）及JTAG边界扫描，便于高速PCB设计与系统调试。需注意：Cypress已于2020年被英飞凌收购，该型号现归入英飞凌SRAM产品线，技术支持与选型建议应通过英飞凌官方渠道获取。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 18MBIT 200MHZ 165FBGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Cypress Semiconductor Corp |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CY7C1312BV18-200BZXC |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 165-FBGA（13x15） |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | SRAM - 同步，QDR II |
| 存储容量 | 18M（1M x 18） |
| 封装/外壳 | 165-LBGA |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 136 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 速度 | 200MHz |
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