Datasheet下载- 型号： CY7C1312BV18-200BZI
- 制造商： Cypress Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CY7C1312BV18-200BZI由Cypress Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY7C1312BV18-200BZI价格参考。Cypress SemiconductorCY7C1312BV18-200BZI封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CY7C1312BV18-200BZI参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CY7C1312BV18-200BZI 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CY7C1312BV18-200BZI 是 Cypress Semiconductor（现属英飞凌）推出的高性能同步SRAM（静态随机存取存储器），属于1.8V低电压、200MHz（5ns周期）的1Mb（128K × 8）双端口SRAM。其核心应用场景聚焦于对高速、低延迟、实时数据交换有严苛要求的嵌入式与通信系统。 典型应用包括： 🔹 网络设备：用作路由器、交换机中的数据包缓冲区或查找表（如CAM辅助缓存），支持线速转发； 🔹 工业自动化与实时控制系统：在PLC、运动控制器中作为CPU与FPGA/DSP之间的高速共享内存，实现多处理器间零等待数据交互； 🔹 测试测量仪器：在高速示波器、逻辑分析仪中暂存实时采集的海量采样数据，满足突发带宽与确定性访问需求； 🔹 军事/航天嵌入式系统：凭借-40°C至+85°C工业级温度范围（ZI后缀表示Industrial Grade）及高抗干扰能力，适用于加固型航电、雷达信号处理模块； 🔹 视频处理与图像采集卡：作为帧缓冲或行缓冲，支撑高清视频流的无缝读写切换（双端口特性支持同时读/写不同地址）。 该器件支持QDR-II+兼容接口、可编程输出驱动强度、JTAG边界扫描，并具备掉电保持模式，兼顾性能、可靠性和设计灵活性。需注意：Cypress已于2020年被英飞凌收购，该型号现由英飞凌继续供货与支持。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 18MBIT 200MHZ 165FBGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Cypress Semiconductor Corp |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CY7C1312BV18-200BZI |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 165-FBGA（13x15） |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | SRAM - 同步，QDR II |
| 存储容量 | 18M（1M x 18） |
| 封装/外壳 | 165-LBGA |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 136 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 速度 | 200MHz |
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