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型号： CY7C1312BV18-167BZI
制造商： Cypress Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供CY7C1312BV18-167BZI由Cypress Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY7C1312BV18-167BZI价格参考。Cypress SemiconductorCY7C1312BV18-167BZI封装/规格：未分类，暂无。您可以下载CY7C1312BV18-167BZI参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CY7C1312BV18-167BZI 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

CY7C1312BV18-167BZI 是 Cypress Semiconductor（现属英飞凌）推出的高性能同步SRAM（静态随机存取存储器），属于1.8V低电压、16Mb（1M × 16位）QDR-II+（Quad Data Rate II Plus）架构产品。其典型应用场景包括：

1. 高速网络设备：广泛用于路由器、交换机、防火墙等的包缓冲、查找表（如TCAM辅助缓存）和流量管理模块，得益于QDR-II+双沿采样与独立读/写端口，可实现无总线争用的并发读写，满足线速转发需求。

2. 电信基础设施：在基站（如4G/LTE BBU）、光传输设备（OTN/SDH）中用作FPGA或ASIC的高速外挂缓存，支撑信道均衡、前向纠错（FEC）及实时信号处理的数据暂存。

3. 测试与测量仪器：高端示波器、逻辑分析仪利用其纳秒级访问时间（167MHz时钟下tAA ≤ 5.5ns）和突发传输能力，实现高采样率下的深度数据捕获与实时分析。

4. 工业与嵌入式系统：在需要确定性低延迟响应的场景（如运动控制、实时图像采集）中，作为处理器或DSP的片外高速缓存，提升数据吞吐效率。

该器件采用165-ball FBGA封装（BZI后缀表示工业级温度范围：–40°C 至 +85°C），支持JTAG边界扫描，具备高可靠性与低功耗特性，适用于严苛环境下的关键任务系统。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	集成电路 (IC)
描述	IC SRAM 18MBIT 167MHZ 165FBGA
产品分类	存储器
品牌	Cypress Semiconductor Corp
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	CY7C1312BV18-167BZI
rohs	含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	165-FBGA（13x15）
包装	托盘
存储器类型	SRAM - 同步，QDR II
存储容量	18M（1M x 18）
封装/外壳	165-LBGA
工作温度	-40°C ~ 85°C
接口	并联
标准包装	136
格式-存储器	RAM
电压-电源	1.7 V ~ 1.9 V
速度	167MHz