Datasheet下载- 型号： CY7C1311CV18-250BZC
- 制造商： Cypress Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CY7C1311CV18-250BZC由Cypress Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY7C1311CV18-250BZC价格参考。Cypress SemiconductorCY7C1311CV18-250BZC封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CY7C1311CV18-250BZC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CY7C1311CV18-250BZC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CY7C1311CV18-250BZC 是 Cypress Semiconductor（现属英飞凌）推出的高性能同步SRAM（静态随机存取存储器），属于1.8V低电压、250MHz（4ns读取周期）、2Mb（128K × 18位）的QDR II+（Quad Data Rate II Plus）SRAM。其典型应用场景包括： - 高速网络设备：如路由器、交换机、网络处理器（NPU）中的数据包缓存、FIFO缓冲及查找表（LUT）暂存，利用QDR II+双沿采样与独立读/写端口特性实现高吞吐（可达2 Gbps以上带宽）。 - 电信基础设施：基站基带处理、OTN/SDH帧处理、TDM交换等对确定性低延迟和连续突发访问要求严苛的场景。 - 测试与测量设备：高速逻辑分析仪、示波器中用作深度采集缓存，支持实时无丢帧数据捕获。 - 军事与航空电子系统：因该器件具备工业级温度范围（–40°C 至 +85°C）、符合JESD22可靠性标准，适用于抗干扰、高稳定性要求的嵌入式实时系统。 - FPGA协处理接口：常与Xilinx或Intel FPGA配合，作为外挂高速缓存或流数据桥接存储，弥补片内BRAM容量不足。 注：该型号已进入产品寿命终止（EOL）阶段，当前多由英飞凌推荐替代型号（如PSRAM或新型QDR SRAM），新设计建议评估兼容升级方案。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 18MBIT 250MHZ 165FBGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Cypress Semiconductor Corp |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CY7C1311CV18-250BZC |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 165-FBGA（13x15） |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | SRAM - 同步，QDR II |
| 存储容量 | 18M（2M x 8） |
| 封装/外壳 | 165-LBGA |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 136 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 速度 | 250MHz |
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