Datasheet下载- 型号： CY7C1270V18-400BZXC
- 制造商： Cypress Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CY7C1270V18-400BZXC由Cypress Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY7C1270V18-400BZXC价格参考。Cypress SemiconductorCY7C1270V18-400BZXC封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CY7C1270V18-400BZXC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CY7C1270V18-400BZXC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CY7C1270V18-400BZXC 是 Cypress Semiconductor Corp（现属英飞凌科技）推出的一款高性能同步静态RAM（SSRAM），属于存储器类别。该器件为1.8V供电、1M × 18位（18Mb）的流水线型QDR-II+ SRAM，数据速率高达400MHz（200MHz时钟双沿采样），具备低延迟、高带宽和突发读写能力。 典型应用场景包括： - 网络通信设备：如高端路由器、交换机及网络处理器（NPU）中的数据包缓冲、查找表（LUT）缓存和队列管理； - 电信基础设施：基站基带处理单元（BBU）、光传输设备（OTN）中用于高速暂存控制与用户数据； - 测试与测量仪器：逻辑分析仪、高速示波器等需实时采集并暂存大量高速信号数据的系统； - FPGA协处理系统：作为FPGA（如Xilinx或Intel高端系列）的外部高速缓存或帧缓冲，支持多端口并发访问（通过QDR架构实现独立读/写端口）； - 军事与航空航天电子系统：在对可靠性、温度范围（工业级–40°C至+85°C，该型号为BZXC封装，符合工业级标准）和确定性时序要求严苛的场景中提供稳定存储支持。 其QDR-II+接口、片上DLL与时钟倍频功能，确保了系统级同步精度与信号完整性，适用于对吞吐量（峰值达1.44 GB/s）和确定性延迟敏感的关键任务应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 36MBIT 400MHZ 165FBGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Cypress Semiconductor Corp |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CY7C1270V18-400BZXC |
| PCN过时产品 | http://www.cypress.com/?docID=18819 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 165-FBGA（15x17） |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | SRAM - 同步，DDR II |
| 存储容量 | 36M（1M x 36） |
| 封装/外壳 | 165-LBGA |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 105 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 速度 | 400MHz |
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