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Datasheet下载- 型号： CY7C1263XV18-633BZXC
- 制造商： Cypress Semiconductor
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CY7C1263XV18-633BZXC产品简介：
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CY7C1263XV18-633BZXC 是 Cypress Semiconductor（现属英飞凌）推出的一款高性能同步双端口静态RAM（SRAM），属于存储器类别。该器件为1.8V供电、256K × 18位（共4.5 Mbit）配置，支持最高633 MHz DDR数据速率（即1.266 Gbps吞吐量），具备独立的A/B端口、真正双端口架构及可编程输出驱动强度。 其典型应用场景包括： - 高速通信设备：如网络交换机、路由器中的包缓冲、FIFO缓存和流量管理模块，利用双端口特性实现无缝读写并发； - FPGA/ASIC协处理系统：作为FPGA（如Xilinx或Intel高端器件）的高速片外共享缓存，用于实时图像处理、信号采集或协议解析等低延迟数据交换场景； - 测试与测量仪器：在高速逻辑分析仪、示波器中用作深度采样缓冲，满足高带宽、低访问延迟需求； - 军事与航空航天电子系统：凭借工业级温度范围（–40°C 至 +85°C）、高可靠性及无刷新设计，适用于雷达信号处理、航电数据总线桥接等严苛环境。 该芯片采用165-ball FBGA封装（13 mm × 15 mm），支持JTAG边界扫描，便于系统集成与调试。需注意其已进入产品生命周期末期（EOL），新设计建议评估英飞凌推荐替代型号（如部分PSRAM或新型双端口SRAM方案）。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 36MBIT 633MHZ 165FBGA |
| 产品分类 | |
| 品牌 | Cypress Semiconductor Corp |
| 数据手册 | http://www.cypress.com/?docID=40341 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CY7C1263XV18-633BZXC |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 165-FBGA（13x15） |
| 其它名称 | CY7C1263XV18633BZXC |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | SRAM - 同步，QDR II+ |
| 存储容量 | 36M（2M x 18） |
| 封装/外壳 | 165-LBGA |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 136 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/cypress-semiconductor-qdr-extreme-sram/2805 |
| 电压-电源 | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 速度 | 633MHz |
