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- 型号： CY7C12631KV18-400BZI
- 制造商： Cypress Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CY7C12631KV18-400BZI由Cypress Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY7C12631KV18-400BZI价格参考。Cypress SemiconductorCY7C12631KV18-400BZI封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CY7C12631KV18-400BZI参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CY7C12631KV18-400BZI 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CY7C12631KV18-400BZI 是 Cypress Semiconductor（现属英飞凌 Technologies）推出的一款高性能同步双端口静态RAM（SRAM），属于存储器类别。该器件为18位宽、1M×18（即18Mb）容量的双端口SRAM，支持最高400MHz（2.5ns周期）工作频率，采用165-ball BGA封装（BZI后缀表示工业级温度范围：–40°C 至 +85°C），并具备独立的A/B端口、硬件忙（BUSY）信号及中断（INT）功能。 其典型应用场景包括： 1. 高速数据缓冲与共享内存：在FPGA/DSP/ASIC协同系统中，作为两个处理器或数据流之间的低延迟、无冲突共享缓存（如通信协议处理、视频帧缓存）； 2. 网络与通信设备：用于交换机、路由器中的包缓存、队列管理及DMA数据暂存； 3. 工业自动化与测试仪器：满足实时性要求严苛的多任务控制、高速采集数据暂存（如示波器、逻辑分析仪）； 4. 军事与航空航天：凭借工业级温度特性与高可靠性，适用于加固型嵌入式系统中的关键数据交换模块。 需注意：该型号已进入产品生命周期末期（EOL），Cypress/Infineon建议转向替代方案（如新型QDR或DDR SRAM），但现有设计中仍广泛用于对确定性低延迟和双端口并发访问有强需求的场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 36MBIT 400MHZ 165FBGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Cypress Semiconductor Corp |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CY7C12631KV18-400BZI |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 165-FBGA（13x15） |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | SRAM - 同步，QDR II+ |
| 存储容量 | 36M（2M x 18） |
| 封装/外壳 | 165-LBGA |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 136 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/cypress-semiconductor-qdr-extreme-sram/2805 |
| 电压-电源 | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 速度 | 400MHz |
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