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- 型号： CY7C1250V18-333BZC
- 制造商： Cypress Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CY7C1250V18-333BZC由Cypress Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY7C1250V18-333BZC价格参考。Cypress SemiconductorCY7C1250V18-333BZC封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CY7C1250V18-333BZC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CY7C1250V18-333BZC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CY7C1250V18-333BZC 是赛普拉斯（Cypress，现属英飞凌）推出的高性能同步SRAM（静态随机存取存储器），属于1.8V低压、333MHz（3ns周期）、1M × 18位（共18Mb）的QDR-II+架构器件。其典型应用场景包括： 1. 高速网络设备：广泛用于路由器、交换机、防火墙等设备的数据包缓冲、查找表（如TCAM辅助缓存）、FIB/ACL表暂存，依托QDR-II+双数据速率与独立读写端口，满足线速转发对低延迟、高吞吐的需求。 2. 通信基站与无线基础设施：在4G LTE/5G前传、基带处理单元（BBU）中，用作FPGA或DSP的片外高速缓存，支撑实时信号处理（如FFT、信道编码/解码）所需的大带宽数据暂存。 3. 测试测量与高端仪器：在高速逻辑分析仪、示波器中作为深度采集缓存，利用其确定性低延迟和并行访问能力，实现长时间、高采样率波形捕获。 4. 军事与航空电子系统：因该器件符合工业级温度范围（–40°C 至 +85°C）及高可靠性设计，适用于雷达信号处理、航电数据记录等对实时性与稳定性要求严苛的场景。 注：该型号已停产（EOL），当前多用于存量设备维护或替代设计升级，新项目建议评估英飞凌兼容方案（如PSRAM或新型QDR SRAM）。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 36MBIT 333MHZ 165FBGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Cypress Semiconductor Corp |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CY7C1250V18-333BZC |
| PCN过时产品 | http://www.cypress.com/?docID=18819 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 165-FBGA（15x17） |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | SRAM - 同步，DDR II |
| 存储容量 | 36M（1M x 36） |
| 封装/外壳 | 165-LBGA |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 105 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 速度 | 333MHz |
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