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- 型号： CY7C1170V18-400BZC
- 制造商： Cypress Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CY7C1170V18-400BZC由Cypress Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY7C1170V18-400BZC价格参考。Cypress SemiconductorCY7C1170V18-400BZC封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CY7C1170V18-400BZC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CY7C1170V18-400BZC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CY7C1170V18-400BZC 是赛普拉斯（现属英飞凌）推出的高性能同步SRAM（静态随机存取存储器），属于存储器类别。该器件为2Mb（128K × 18位）容量、18位数据总线、工作频率达400MHz（2.5ns周期）、采用3.3V供电、BGA封装（119球，ZC后缀）的高速CMOS SRAM。 其典型应用场景包括： - 网络通信设备：用作路由器、交换机中的包缓冲区、FIFO缓存或查找表（如TCAM辅助缓存），满足低延迟、高吞吐数据暂存需求； - 工业与嵌入式系统：在FPGA/ASIC协处理平台中作为高速片外缓存，支撑实时图像处理、运动控制等对确定性访问时序敏感的应用； - 测试测量仪器：在高速数字示波器、逻辑分析仪中用于深度采样数据暂存，依赖其无刷新、纳秒级读写和全地址随机访问特性； - 军事与航空电子：适用于需宽温、高可靠性及抗辐射设计的场景（该型号支持工业级温度范围–40°C ~ +85°C，符合JESD22标准）。 注意：该芯片已进入产品寿命终止（EOL）阶段，新设计建议评估英飞凌推荐替代型号（如CY7C1170V18系列升级版或同架构SRAM）。实际选型需结合时序约束、功耗预算及供应链状况综合评估。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 18MBIT 400MHZ 165FBGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Cypress Semiconductor Corp |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CY7C1170V18-400BZC |
| PCN过时产品 | http://www.cypress.com/?docID=18819 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 165-FBGA（13x15） |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | SRAM - 同步，DDR II |
| 存储容量 | 18M（512K x 36） |
| 封装/外壳 | 165-LBGA |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 136 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 速度 | 400MHz |
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