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型号： CY7C1165V18-400BZXC
制造商： Cypress Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供CY7C1165V18-400BZXC由Cypress Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY7C1165V18-400BZXC价格参考。Cypress SemiconductorCY7C1165V18-400BZXC封装/规格：未分类，暂无。您可以下载CY7C1165V18-400BZXC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CY7C1165V18-400BZXC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

CY7C1165V18-400BZXC 是 Cypress Semiconductor（现属英飞凌）推出的高性能同步静态随机存取存储器（SSRAM），属于QDR™ II SRAM系列。该器件为16Mb（1M × 16位）容量、3.3V供电、400MHz（200MHz双数据率）工作频率的高速缓存型存储器，采用119-ball BGA封装（BZXC后缀表示无铅、符合RoHS、商业级温度范围0℃~70℃）。

其典型应用场景聚焦于对带宽和低延迟要求严苛的中高端嵌入式与通信系统，包括：  
✅ 高速网络设备——如千兆/万兆以太网交换机、路由器中的包缓冲、FIFO、查找表（LUT）或TCAM辅助缓存；  
✅ 电信基础设施——基站基带处理单元（BBU）、光传输设备（OTN/SDH）中的信元/帧暂存与流量整形；  
✅ 数字信号处理系统——FPGA协处理器（如Xilinx/Intel FPGA）的外部高速缓存，用于实时视频处理、雷达信号采集等需要突发读写与确定性延迟的场景；  
✅ 工业自动化与测试仪器——高速数据采集卡、协议分析仪中的深度缓冲存储，支持连续高速采样与回放。

该芯片支持QDR-II接口（独立读/写端口、源同步双沿采样），可实现高达1.6GB/s的理论带宽，且无需刷新操作，访问延迟稳定（典型tAA = 3.5ns），特别适合需确定性时序的关键路径应用。需注意其已停产（Cypress于2020年后逐步整合至英飞凌产品线），新设计建议评估替代型号（如英飞凌同系列或DDR3/LPDDR4方案），但存量设备仍广泛用于工业及通信领域维护升级。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	集成电路 (IC)
描述	IC SRAM 18MBIT 400MHZ 165FBGA
产品分类	存储器
品牌	Cypress Semiconductor Corp
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	CY7C1165V18-400BZXC
PCN过时产品	http://www.cypress.com/?docID=18819
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	165-FBGA（13x15）
包装	托盘
存储器类型	SRAM - 同步，QDR II
存储容量	18M（512K x 36）
封装/外壳	165-LBGA
工作温度	0°C ~ 70°C
接口	并联
标准包装	136
格式-存储器	RAM
电压-电源	1.7 V ~ 1.9 V
速度	400MHz