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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供CY7C1165KV18-400BZXC由Cypress Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY7C1165KV18-400BZXC价格参考。Cypress SemiconductorCY7C1165KV18-400BZXC封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载CY7C1165KV18-400BZXC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有CY7C1165KV18-400BZXC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CY7C1165KV18-400BZXC 是 Cypress Semiconductor(现属英飞凌)推出的高性能同步静态RAM(SSRAM),容量为2Mb(128K × 18位),工作频率达400MHz(2.5ns读取周期),采用165-ball BGA封装,支持1.8V核心电压和3.3V I/O(兼容LVTTL),具备突发读写、流水线地址/数据总线及可编程等待状态等特性。 其典型应用场景包括: 1. 高速网络设备:用作路由器、交换机中MAC层或转发引擎的缓存/暂存器,满足高带宽、低延迟报文处理需求; 2. 工业与通信FPGA协处理器缓存:为Xilinx/Intel FPGA提供高速片外缓冲,支撑实时图像处理、协议解析或DMA数据中转; 3. 测试测量仪器:在高速示波器、逻辑分析仪中作为深度采集缓存,可靠存储高频采样数据; 4. 军事/航空电子系统:凭借宽温(–40°C ~ +85°C)、高可靠性及抗辐射设计(部分版本),适用于航电总线缓冲与任务关键型实时控制; 5. 嵌入式视频处理:在视频编解码板卡中作为帧缓冲或运动估计临时存储,支持18位数据宽度适配YUV/RGB中间格式。 该器件已停产(EOL),当前多用于存量设备维护或对长期供货有保障的工业/国防项目。替代方案需考虑英飞凌后续SRAM系列(如CY7C1041G30)或同类高性能异步/同步SRAM,但需注意时序与接口兼容性调整。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC)半导体 |
| 描述 | IC SRAM 18MBIT 400MHZ 165FBGA静态随机存取存储器 18MB (512Kx36) 1.8v 400MHz QDR II 静态随机存取存储器 |
| 产品分类 | 存储器集成电路 - IC |
| 品牌 | Cypress Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 内存,静态随机存取存储器,Cypress Semiconductor CY7C1165KV18-400BZXC- |
| 数据手册 | http://www.cypress.com/?docID=49126 |
| 产品型号 | CY7C1165KV18-400BZXC |
| PCN组件/产地 | http://www.cypress.com/?docID=47156 |
| 产品种类 | 静态随机存取存储器 |
| 供应商器件封装 | 165-FBGA(13x15) |
| 包装 | 托盘 |
| 商标 | Cypress Semiconductor |
| 存储器类型 | SRAM - 同步,QDR II+ |
| 存储容量 | 18 Mbit |
| 存储类型 | QDR |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tray |
| 封装/外壳 | 165-LBGA |
| 封装/箱体 | FBGA-165 |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C |
| 工厂包装数量 | 136 |
| 接口 | Parallel |
| 最大工作温度 | + 70 C |
| 最大工作电流 | 850 mA |
| 最大时钟频率 | 400 MHz |
| 最小工作温度 | 0 C |
| 标准包装 | 136 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 电源电压-最大 | 1.9 V |
| 电源电压-最小 | 1.7 V |
| 类型 | Synchronous |
| 系列 | CY7C1165KV18 |
| 组织 | 512 k x 36 |
| 访问时间 | 0.45 ns |
| 速度 | 400MHz |