Datasheet下载- 型号： CY7C11651KV18-400BZC
- 制造商： Cypress Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CY7C11651KV18-400BZC由Cypress Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY7C11651KV18-400BZC价格参考。Cypress SemiconductorCY7C11651KV18-400BZC封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CY7C11651KV18-400BZC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CY7C11651KV18-400BZC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CY7C11651KV18-400BZC 是 Cypress Semiconductor（现属英飞凌）推出的高性能同步SRAM（静态随机存取存储器），属于QDR II+（Quad Data Rate II Plus）架构的18位总线宽度器件，工作频率达400MHz（周期时间2.5ns），容量为72Mb（4M × 18）。其典型应用场景包括： - 高速网络设备：如路由器、交换机和网络处理器（NPU）中的数据包缓冲、队列管理与查找表（LUT）缓存，得益于QDR II+双沿采样与独立读/写端口，支持高吞吐、低延迟的并发读写。 - 通信基站与无线基础设施：用于基带处理单元（BBU）中FPGA或ASIC的高速暂存，满足LTE/5G前传/中传对确定性时序和突发数据处理的需求。 - 测试测量与高端仪器：在高速逻辑分析仪、示波器中用作深度采集缓存，保障实时无丢帧的数据捕获。 - 军事与航空航天电子系统：因该器件符合工业级温度范围（–40°C 至 +85°C）及高可靠性设计，适用于雷达信号处理、电子战等需稳定高速缓存的场景。 注：该芯片已进入产品生命周期末期（EOL），Cypress官方建议迁移到英飞凌后续兼容方案（如PSRAM或新型QDR SRAM），新设计应评估替代型号。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 18MBIT 400MHZ 165FBGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Cypress Semiconductor Corp |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CY7C11651KV18-400BZC |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 165-FBGA（13x15） |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | SRAM - 同步，QDR II+ |
| 存储容量 | 18M（512K x 36） |
| 封装/外壳 | 165-LBGA |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 136 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/cypress-semiconductor-qdr-extreme-sram/2805 |
| 电压-电源 | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 速度 | 400MHz |
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