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产品简介:
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CY7C11501KV18-400BZXI是赛普拉斯半导体公司(Cypress Semiconductor Corp)生产的一款高速、低功耗的双端口静态随机存取存储器(SRAM),属于存储器类别。该器件容量为144Mb(8M x 18位),工作速率可达400MHz,采用1.8V核心电压供电,适用于高性能数据缓冲和实时处理场景。 其主要应用场景包括:通信基础设施中的网络交换机与路由器,用于高速数据包缓存和队列管理;无线基站系统中的前传/中继处理单元,支持多通道数据同步传输;工业自动化设备中需要低延迟、高吞吐量的数据共享场合;以及测试测量仪器、医疗成像设备等对可靠性和稳定性要求较高的领域。 由于其具备双端口架构,允许两个独立系统同时访问同一存储阵列,特别适合多处理器或多控制器协同工作的环境,有效避免数据竞争和瓶颈问题。此外,该型号为无铅环保封装(BZXI表示符合RoHS标准的球栅阵列封装),可在较宽的工业级温度范围(-40°C至+85°C)稳定运行,适用于严苛工作环境。 综上,CY7C11501KV18-400BZXI广泛应用于需要高速、可靠、双端口存储解决方案的高端工业与通信系统中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 18MBIT 400MHZ 165FBGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Cypress Semiconductor Corp |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | CY7C11501KV18-400BZXI |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 165-FBGA(13x15) |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | SRAM - 同步,DDR II+ |
| 存储容量 | 18M(512K x 36) |
| 封装/外壳 | 165-LBGA |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 136 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 速度 | 400MHz |