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产品简介:
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Cypress Semiconductor Corp的CY7C1041CV33-10BAXE是一款高速静态随机存取存储器(SRAM),容量为256K x 4位,采用高速CMOS工艺制造,工作电压为3.3V。该器件广泛应用于对数据存储速度和稳定性要求较高的场景。 主要应用场景包括: 1. 网络设备:用于路由器、交换机等设备中的数据缓存,提升数据处理与转发效率。 2. 通信系统:在基站、传输设备中作为高速缓冲存储器,支持实时数据交换。 3. 工业控制:用于PLC、工业计算机等设备中,支持快速数据采集与处理。 4. 测试与测量设备:如示波器、逻辑分析仪等,用于高速数据暂存和分析。 5. 汽车电子:在高级驾驶辅助系统(ADAS)或车载信息娱乐系统中提供快速数据存储支持。 6. 嵌入式系统:作为微处理器或FPGA的外部高速存储器,提升系统运行效率。 该SRAM具备高速访问时间(10ns)、低功耗、高可靠性等特点,适用于工业级温度范围(-40℃至+85℃),适合在复杂环境中稳定运行。
参数 | 数值 |
产品目录 | 集成电路 (IC) |
描述 | IC SRAM 4MBIT 10NS 48FBGA |
产品分类 | 存储器 |
品牌 | Cypress Semiconductor Corp |
数据手册 | http://www.cypress.com/?docID=48508 |
产品图片 | |
产品型号 | CY7C1041CV33-10BAXE |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
供应商器件封装 | 48-FBGA(7x8.5) |
其它名称 | CY7C1041CV3310BAXE |
包装 | 托盘 |
存储器类型 | SRAM - 异步 |
存储容量 | 4M (256K x 16) |
封装/外壳 | 48-TFBGA |
工作温度 | -40°C ~ 125°C |
接口 | 并联 |
标准包装 | 260 |
格式-存储器 | RAM |
电压-电源 | 3 V ~ 3.6 V |
速度 | 10ns |