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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供CY7C1021CV33-12ZSXE由Cypress Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY7C1021CV33-12ZSXE价格参考。Cypress SemiconductorCY7C1021CV33-12ZSXE封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载CY7C1021CV33-12ZSXE参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有CY7C1021CV33-12ZSXE 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CY7C1021CV33-12ZSXE 是赛普拉斯半导体公司(Cypress Semiconductor Corp)生产的一款静态随机存取存储器(SRAM),容量为1Mbit(128K x 8),高速访问时间为12ns,采用3.3V电源供电,适用于高性能数据缓存和临时存储场景。 该芯片主要应用于以下领域: 1. 工业控制设备:如PLC、工控机等需要高速稳定存储的系统中,用于暂存运行数据或程序。 2. 通信设备:在路由器、交换机等网络设备中作为高速缓存,提升数据处理效率。 3. 汽车电子:用于车载控制系统、仪表盘模块或ADAS辅助驾驶系统中的临时数据存储。 4. 测试与测量仪器:如示波器、逻辑分析仪等,用于快速存储和读取采样数据。 5. 消费类电子产品:部分高端嵌入式设备或视频游戏设备中用于提高响应速度。 该SRAM具备高速、低功耗和高可靠性特点,适合对实时性和稳定性要求较高的应用场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC)半导体 |
| 描述 | IC SRAM 1MBIT 12NS 44TSOP静态随机存取存储器 2Mb 3.3V 12ns 64Kx16 Fast Async 静态随机存取存储器 |
| 产品分类 | 存储器集成电路 - IC |
| 品牌 | Cypress Semiconductor Corp |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 内存,静态随机存取存储器,Cypress Semiconductor CY7C1021CV33-12ZSXE- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | CY7C1021CV33-12ZSXE |
| 产品种类 | 静态随机存取存储器 |
| 供应商器件封装 | 44-TSOP II |
| 其它名称 | CY7C1021CV3312ZSXE |
| 包装 | 托盘 |
| 商标 | Cypress Semiconductor |
| 存储器类型 | SRAM - 异步 |
| 存储容量 | 1M (64K x 16) |
| 存储类型 | SDR |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tray |
| 封装/外壳 | 44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) |
| 封装/箱体 | TSOP-44 |
| 工作温度 | -40°C ~ 125°C |
| 工厂包装数量 | 135 |
| 接口 | 并联 |
| 最大工作温度 | + 125 C |
| 最大工作电流 | 90 mA |
| 最大时钟频率 | 83 MHz |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 标准包装 | 270 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 3 V ~ 3.6 V |
| 电源电压-最大 | 3.63 V |
| 电源电压-最小 | 2.97 V |
| 类型 | Asynchronous |
| 系列 | CY7C1021CV33 |
| 组织 | 64 k x 16 |
| 访问时间 | 12 ns |
| 速度 | 12ns |