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  • 型号: CY7C1021BNV33L-12ZXC
  • 制造商: Cypress Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供CY7C1021BNV33L-12ZXC由Cypress Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY7C1021BNV33L-12ZXC价格参考。Cypress SemiconductorCY7C1021BNV33L-12ZXC封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载CY7C1021BNV33L-12ZXC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有CY7C1021BNV33L-12ZXC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

CY7C1021BNV33L-12ZXC 是 Rochester Electronics(罗切斯特电子)分销的 Cypress(现属英飞凌)原厂授权兼容型号,属于高速异步静态RAM(SRAM),容量为128K × 8位(1 Mbit),3.3V供电,访问时间12ns,采用54引脚TSOP II封装,工业级温度范围(–40°C 至 +85°C),带“ZXC”后缀表明符合无铅(Pb-free)、符合RoHS标准。

典型应用场景包括:  
- 工业控制设备:如PLC、HMI人机界面、运动控制器等需高可靠性、低延迟数据缓存的场景;  
- 通信基础设施:用于网络交换机、路由器、基站中的帧缓冲、FIFO暂存或协议处理临时存储;  
- 医疗电子设备:如影像采集模块、实时监护仪中对确定性读写时序和零刷新要求的关键缓存;  
- 航空航天与国防嵌入式系统:得益于其宽温、抗干扰及长期供货支持(Rochester作为全球知名授权分销商,专长于停产器件(EOL)的持续供应与生命周期管理),适用于雷达信号处理、航电数据记录等场景;  
- 测试测量仪器:如逻辑分析仪、高速示波器的深度采集缓存,依赖其纳秒级访问速度与零等待状态操作。

该器件不适用于需掉电保存数据的场合(非易失性),亦不替代DRAM或Flash。其核心价值在于确定性、高速、无需刷新的随机存取能力,配合Rochester的长期供货保障,特别适合对BOM稳定性、供应链安全要求严苛的中高端嵌入式系统。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

集成电路 (IC)

描述

IC SRAM 1MBIT 12NS 44TSOP

产品分类

存储器

品牌

Cypress Semiconductor Corp

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

产品型号

CY7C1021BNV33L-12ZXC

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

供应商器件封装

44-TSOP II

包装

托盘

存储器类型

SRAM - 异步

存储容量

1M (64K x 16)

封装/外壳

44-TSOP(0.400",10.16mm 宽)

工作温度

0°C ~ 70°C

接口

并联

标准包装

135

格式-存储器

RAM

电压-电源

3 V ~ 3.6 V

速度

12ns

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