【CY7C1012DV33-10BGXI/规格参数】厂家_CY7C1012DV33-10BGXI中文资料_价格

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型号： CY7C1012DV33-10BGXI
制造商： Cypress Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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CY7C1012DV33-10BGXI产品简介：

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CY7C1012DV33-10BGXI 是 Cypress Semiconductor Corp（现属英飞凌）推出的一款高速异步静态RAM（SRAM），容量为1 Mbit（128K × 8），3.3V供电，10ns访问时间，采用119-ball BGA封装（BGXI表示无铅、符合RoHS、工业级温度范围−40°C至+85°C）。

其典型应用场景包括：  
🔹 工业控制设备：如PLC、运动控制器、HMI人机界面中用作高速缓存或实时数据暂存，满足工业环境对可靠性和宽温性能的要求；  
🔹 通信基础设施：在交换机、路由器、光模块等设备中作为帧缓冲、FIFO或协议处理临时存储，利用其低延迟和异步接口适配FPGA/ASIC时序；  
🔹 医疗电子设备：如便携式监护仪、影像采集前端，需快速读写且长期稳定运行，工业级温度与高可靠性设计满足医疗标准；  
🔹 测试测量仪器：示波器、逻辑分析仪等需高速采集并暂存大量原始数据，该SRAM提供确定性10ns响应，避免DMA瓶颈；  
🔹 嵌入式系统扩展内存：配合MCU（如ARM Cortex-M系列）或FPGA扩展片外高速RAM，弥补片内SRAM容量不足，用于算法中间变量、音频/图像缓存等。

注：该器件已进入产品生命周期末期（EOL），新设计建议评估英飞凌推荐替代型号（如PSRAM或新型低功耗SRAM），但现有设备维护及兼容升级中仍广泛使用。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	集成电路 (IC)
描述	IC SRAM 12MBIT 10NS 119BGA
产品分类	存储器
品牌	Cypress Semiconductor Corp
数据手册	http://www.cypress.com/?docID=31959
产品图片
产品型号	CY7C1012DV33-10BGXI
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	119-PBGA（14x22）
其它名称	428-3273 CY7C1012DV33-10BGXI-ND CY7C1012DV3310BGXI
包装	托盘
存储器类型	SRAM - 异步
存储容量	12M（512K x 24）
封装/外壳	119-BGA
工作温度	-40°C ~ 85°C
接口	并联
标准包装	84
格式-存储器	RAM
电压-电源	3 V ~ 3.6 V
速度	10ns