图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供CY62146DV30L-70BVI由Cypress Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY62146DV30L-70BVI价格参考。Cypress SemiconductorCY62146DV30L-70BVI封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载CY62146DV30L-70BVI参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有CY62146DV30L-70BVI 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CY62146DV30L-70BVI 是 Cypress(现属英飞凌)推出的高速CMOS静态RAM(SRAM),容量为2 Mbit(256K × 8),采用3.3V供电,访问时间70ns,封装为44-pin TSOP II(BVI后缀表示工业级温度范围:–40°C 至 +85°C),无铅且符合RoHS。 其典型应用场景包括: - 工业控制设备:如PLC、人机界面(HMI)、运动控制器等需高可靠性、宽温运行的嵌入式系统,用于暂存实时数据、程序变量或通信缓冲区; - 网络通信设备:交换机、路由器中的包缓存、FIFO缓冲或寄存器映射内存,利用其低延迟与稳定时序保障数据吞吐; - 医疗电子设备:便携式监护仪、影像采集模块等对数据完整性与时效性要求高的场景,作为临时帧缓存或配置存储; - 汽车电子(非安全关键域):车载信息娱乐系统(IVI)、仪表盘显示控制单元中,用作显示RAM或GUI缓存(需满足AEC-Q200可选认证,但本型号为工业级,实际应用需结合具体车规设计); - 测试测量仪器:逻辑分析仪、示波器前端数据采集缓存,依赖其快速读写能力捕获高速信号。 注:该器件为异步SRAM,不带内置电池或非易失性,断电即丢失数据,故不适用于长期存储;亦非Flash/EEPROM替代品。设计中需配合地址锁存、片选逻辑及电源滤波以确保稳定性。