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- 型号： CY62137CV30LL-70BVXE
- 制造商： Cypress Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CY62137CV30LL-70BVXE由Cypress Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY62137CV30LL-70BVXE价格参考。Cypress SemiconductorCY62137CV30LL-70BVXE封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CY62137CV30LL-70BVXE参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CY62137CV30LL-70BVXE 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CY62137CV30LL-70BVXE 是 Cypress Semiconductor Corp（现属英飞凌）推出的一款高速低功耗CMOS静态RAM（SRAM），容量为2 Mbit（256K × 8），工作电压为3.0–3.6 V，访问时间仅70 ns，采用48-ball BGA封装（BVX后缀），工业级温度范围（–40°C 至 +85°C），带可编程等待状态控制与低功耗待机模式。 该器件主要面向对实时性、可靠性和低功耗有较高要求的嵌入式系统场景，典型应用包括： - 工业自动化设备中的PLC数据缓存与I/O暂存； - 网络通信设备（如交换机、路由器）的包缓冲与路由表临时存储； - 医疗电子设备（如便携式监护仪、影像前端处理模块）中需快速读写且无刷新需求的中间数据缓存； - 汽车电子中的车身控制模块（BCM）、ADAS传感器预处理单元等符合AEC-Q100（注：本型号为工业级，非车规，但部分客户经验证可用于非安全关键车载环境）； - 测试测量仪器（如数字示波器、逻辑分析仪）的高速采集数据暂存。 其70 ns访问速度、零延迟读写及无需刷新的特性，特别适合替代易失性要求高、软件无法容忍DRAM刷新开销的场景。需注意：该芯片已进入产品生命周期末期（EOL），新设计建议评估英飞凌兼容替代型号（如S27KL0642）。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 2MBIT 70NS 48VFBGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Cypress Semiconductor Corp |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CY62137CV30LL-70BVXE |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | MoBL® |
| 供应商器件封装 | 48-VFBGA（6x8） |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | SRAM - 异步 |
| 存储容量 | 2M （128K x 16） |
| 封装/外壳 | 48-VFBGA |
| 工作温度 | -40°C ~ 125°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 480 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 2.7 V ~ 3.3 V |
| 速度 | 70ns |
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