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- 型号： CY62136VNLL-55ZSXA
- 制造商： Cypress Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CY62136VNLL-55ZSXA由Cypress Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY62136VNLL-55ZSXA价格参考。Cypress SemiconductorCY62136VNLL-55ZSXA封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CY62136VNLL-55ZSXA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CY62136VNLL-55ZSXA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CY62136VNLL-55ZSXA 是 Cypress Semiconductor Corp（现属英飞凌科技）推出的一款高速CMOS静态随机存取存储器（SRAM），容量为2 Mbit（256K × 8），访问时间为55 ns，采用32引脚SOIC封装，工作电压为3.3 V，支持工业级温度范围（–40°C 至 +85°C），并具备低功耗特性。 该器件典型应用于对读写速度、可靠性和实时性要求较高的嵌入式系统中，例如： - 工业自动化设备中的PLC缓存与数据暂存； - 网络通信设备（如交换机、路由器）的包缓冲与控制表存储； - 医疗电子设备（如监护仪、影像前端模块）中需快速存取的实时采样数据缓冲； - 汽车电子中的ADAS辅助模块（非安全关键路径）或车载信息娱乐系统中的帧缓存/配置寄存器备份； - 测试测量仪器（如逻辑分析仪、示波器）的高速采集数据暂存。 因其无须刷新、零等待周期、抗辐射能力较强（相比DRAM），也适用于航天或高可靠性军工子系统的非易失性缓存扩展（配合EEPROM/Flash使用）。需注意：该SRAM为易失性存储器，断电丢失数据，故不用于长期存储，常与非易失介质协同工作。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 2MBIT 55NS 44TSOP |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Cypress Semiconductor Corp |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CY62136VNLL-55ZSXA |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | MoBL® |
| 供应商器件封装 | 44-TSOP II |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | SRAM - 异步 |
| 存储容量 | 2M （128K x 16） |
| 封装/外壳 | 44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 675 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 速度 | 55ns |
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