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详细数据请看参考数据手册
- 型号： CY14ME256J2-SXI
- 制造商： Cypress Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CY14ME256J2-SXI由Cypress Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY14ME256J2-SXI价格参考。Cypress SemiconductorCY14ME256J2-SXI封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CY14ME256J2-SXI参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CY14ME256J2-SXI 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CY14ME256J2-SXI 是 Cypress Semiconductor Corp（现属英飞凌 Technologies）推出的 256K × 8 位（2 Mbit）非易失性静态RAM（nvSRAM），集成SONOS非易失性技术，无需外部电池即可实现断电数据保存。其典型应用场景包括： - 工业自动化设备：如PLC、运动控制器、HMI人机界面等，需在突发断电时瞬时保存运行状态、参数配置或计数器值，确保重启后无缝恢复。 - 网络与通信设备：路由器、交换机、基站中的配置缓存、日志缓冲区或会话表，要求高速读写（最高45 ns访问时间）与断电数据可靠性。 - 医疗电子设备：监护仪、输液泵等对数据完整性要求严苛的系统，用于存储实时生命体征、报警记录或校准参数，满足IEC 62304等安全标准。 - 汽车电子（车载信息娱乐/ADAS辅助模块）：在宽温范围（–40°C 至 +85°C）下工作，适用于黑匣子式事件记录、故障码（DTC）存储或用户偏好设置备份。 - 高可靠性嵌入式系统：替代EEPROM或带电池SRAM，避免电池更换、漏液及寿命限制问题，提升系统长期免维护能力。 该器件支持工业级温度、10⁶次读写/100年数据保持，并具备硬件写保护、软件控制写使能等安全特性，适用于对实时性、可靠性和免维护性均有较高要求的场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC NVSRAM 256KBIT 3.4MHZ 8SOIC |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Cypress Semiconductor Corp |
| 数据手册 | http://www.cypress.com/?docID=46871 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CY14ME256J2-SXI |
| PCN组件/产地 | http://www.cypress.com/?docID=44762http://www.cypress.com/?docID=48110 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC |
| 其它名称 | CY14ME256J2SXI |
| 包装 | 管件 |
| 存储器类型 | NVSRAM（非易失 SRAM） |
| 存储容量 | 256K （32K x 8） |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 接口 | I²C，2 线串口 |
| 标准包装 | 97 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 速度 | 3.4MHz |
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