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- 型号： CY14B108L-BA45XI
- 制造商： Cypress Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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CY14B108L-BA45XI产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CY14B108L-BA45XI由Cypress Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY14B108L-BA45XI价格参考。Cypress SemiconductorCY14B108L-BA45XI封装/规格：存储器， NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 8Mb （1M x 8） 并联 45ns 48-FBGA（6x10）。您可以下载CY14B108L-BA45XI参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CY14B108L-BA45XI 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Cypress Semiconductor Corp的CY14B108L-BA45XI是一款8 Mbit（512K × 16）的串行/并行非易失性RAM（nvSRAM），结合了SRAM的高速读写性能与非易失性存储特性。其典型应用场景包括需要高速数据存储、断电后数据不丢失且可靠性要求高的工业和通信设备。 该器件广泛应用于工业自动化控制系统，如PLC（可编程逻辑控制器）、传感器模块和人机界面（HMI），在系统突然断电时能可靠保存关键运行参数和状态信息。此外，它适用于网络通信设备，如路由器、交换机和基站，在频繁数据缓存和配置保存中表现出色。在医疗设备中，用于存储患者数据、设备校准信息等敏感内容，确保数据安全。金融终端设备（如POS机、ATM）也常采用此芯片，以保障交易记录的实时保存与防丢失。航空航天及汽车电子中的高可靠性数据记录系统同样适用。 CY14B108L-BA45XI支持45 ns的快速访问速度，具备无限次读写寿命和高达10亿次的自旋磁阻（QuantumTrap）写耐久性，工作温度范围宽（-40°C至+85°C），适合严苛环境下的长期稳定运行。其兼具SRAM性能与EEPROM数据保持能力，是替代传统电池供电SRAM的理想选择，降低维护成本并提升系统可靠性。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC NVSRAM 8MBIT 45NS 48FBGA |
| 产品分类 | |
| 品牌 | Cypress Semiconductor Corp |
| 数据手册 | http://www.cypress.com/?docID=38949 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CY14B108L-BA45XI |
| PCN组件/产地 | http://www.cypress.com/?docID=48110http://www.cypress.com/?docID=48117 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 48-FBGA（6x10） |
| 其它名称 | CY14B108LBA45XI |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | NVSRAM（非易失 SRAM） |
| 存储容量 | 8M（1M x 8） |
| 封装/外壳 | 48-TFBGA |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 299 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 速度 | 45ns |
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