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- 型号： CY14B104N-BA25XC
- 制造商： Cypress Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CY14B104N-BA25XC由Cypress Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY14B104N-BA25XC价格参考。Cypress SemiconductorCY14B104N-BA25XC封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CY14B104N-BA25XC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CY14B104N-BA25XC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CY14B104N-BA25XC 是 Cypress Semiconductor Corp（现属英飞凌科技）推出的一款 4-Mbit（512K × 8）非易失性静态RAM（nvSRAM），具备“无需电池、自动掉电数据保护”特性。其核心应用场景聚焦于需实时读写+断电数据零丢失的关键工业与嵌入式系统： - 工业自动化设备：PLC、运动控制器、人机界面（HMI）中用于保存运行参数、校准数据、故障日志及最后状态，确保意外断电后重启即恢复原状； - 网络通信设备：路由器、交换机的配置缓存与会话表存储，避免配置丢失或连接中断； - 医疗电子设备：如监护仪、输液泵等，可靠记录患者关键操作日志与实时设置，满足医疗数据完整性要求； - 智能电表与能源管理系统：持续记录用电数据、事件时间戳（如断电/复电时刻），符合计量标准对数据持久性的强制要求； - 汽车电子（车载信息娱乐及车身控制模块）：在启停工况下保障用户偏好设置、诊断故障码（DTC）等关键信息不丢失。 该器件采用SOIC-28封装，工作温度范围为–40°C 至 +85°C，支持25 ns高速访问，并通过内部集成的自动能量采集电路与超级电容（或外接电容）协同，在电源失效瞬间将SRAM数据无缝转存至内部非易失存储单元，无需外部电池及相应管理电路，显著提升系统可靠性与长期免维护能力。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC NVSRAM 4MBIT 25NS 48FBGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Cypress Semiconductor Corp |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CY14B104N-BA25XC |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 48-FBGA（6x10） |
| 包装 | 管件 |
| 存储器类型 | NVSRAM（非易失 SRAM） |
| 存储容量 | 4M （256K x 16） |
| 封装/外壳 | 48-TFBGA |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 299 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 速度 | 25ns |
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