Datasheet下载- 型号： CY14B104LA-ZS20XI
- 制造商： Cypress Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CY14B104LA-ZS20XI由Cypress Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY14B104LA-ZS20XI价格参考。Cypress SemiconductorCY14B104LA-ZS20XI封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CY14B104LA-ZS20XI参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CY14B104LA-ZS20XI 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CY14B104LA-ZS20XI 是 Cypress Semiconductor Corp（现属英飞凌 Technologies）推出的 4-Mbit（512K × 8）非易失性静态RAM（nvSRAM），采用SOIC-28封装，工作温度范围为–40°C 至 +85°C（工业级），支持20 ns高速访问。 其核心应用场景聚焦于需断电数据零丢失、高频读写且无需电池备份的关键系统，典型包括： ✅ 工业自动化设备：PLC、运动控制器、人机界面（HMI）中保存运行参数、校准数据、故障日志等，确保意外断电时关键状态即时固化； ✅ 通信基础设施：基站、交换机、路由器中的配置寄存器、统计计数器和会话缓存，兼顾SRAM速度与EEPROM级可靠性； ✅ 医疗电子设备：如监护仪、输液泵，用于存储患者设置、报警阈值及操作历史，满足IEC 62304安全要求； ✅ 汽车电子（车载信息娱乐/ADAS辅助模块）：在非AEC-Q100认证版本中适用于部分二级车载子系统（注意：该型号为工业级，非车规，需按具体应用评估合规性）； ✅ 智能电表与能源管理系统：记录用电数据、事件时间戳及密钥信息，符合DLMS/COSEM等协议对非易失性存储的严苛要求。 优势在于：无需外部电池或电容备份、无限次读写、上电即用、抗辐射/抗干扰能力强，替代传统EEPROM+SRAM组合方案，简化设计并提升可靠性。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC NVSRAM 4MBIT 20NS 44TSOP |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Cypress Semiconductor Corp |
| 数据手册 | http://www.cypress.com/?docID=39556 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CY14B104LA-ZS20XI |
| PCN组件/产地 | http://www.cypress.com/?docID=47157http://www.cypress.com/?docID=48110http://www.cypress.com/?docID=48115点击此处下载产品Datasheet |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 44-TSOP II |
| 其它名称 | CY14B104LAZS20XI |
| 包装 | 管件 |
| 存储器类型 | NVSRAM（非易失 SRAM） |
| 存储容量 | 4M （512K x 8） |
| 封装/外壳 | 44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 135 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 速度 | 20ns |
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