Datasheet下载- 型号： CY14B104L-ZS25XI
- 制造商： Cypress Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CY14B104L-ZS25XI由Cypress Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY14B104L-ZS25XI价格参考。Cypress SemiconductorCY14B104L-ZS25XI封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CY14B104L-ZS25XI参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CY14B104L-ZS25XI 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CY14B104L-ZS25XI 是 Cypress Semiconductor Corp（现属英飞凌科技）推出的 4-Mbit（512K × 8）非易失性静态RAM（nvSRAM），具备“无需电池、自动数据保护”特性。其核心应用场景聚焦于需高速读写+断电即时数据保存的关键工业与嵌入式系统： - 工业自动化设备：PLC、运动控制器、人机界面（HMI）中，用于实时缓存运行参数、I/O状态或故障日志，断电瞬间自动将SRAM数据转存至内部SONOS非易失单元，确保关键过程数据不丢失。 - 网络通信设备：路由器、交换机的配置寄存器、计数器或会话表缓存，保障系统异常掉电后快速恢复配置与连接状态。 - 医疗电子设备：如监护仪、输液泵，存储患者实时生命体征、操作记录及报警历史，满足医疗数据完整性与法规（如IEC 62304）对断电数据保持的强制要求。 - 智能电表与能源管理系统：记录用电量、事件时间戳（如失压、断相）、需量数据，符合DL/T 645等电力行业标准对掉电数据保存（≥10年）的要求。 - 汽车电子（车载信息/车身控制模块）：在宽温（–40°C 至 +85°C）、高可靠性环境下，保存诊断故障码（DTC）、里程/油耗统计等非安全关键但需持久化的运行数据。 该器件采用SOIC-28封装，支持25 ns高速访问，工作电压3.3 V，通过AEC-Q100认证（部分版本），兼具SRAM性能与EEPROM级数据保持能力（>20年），显著简化系统设计（免外部电池/超级电容及备份管理电路）。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC NVSRAM 4MBIT 25NS 44TSOP |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Cypress Semiconductor Corp |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CY14B104L-ZS25XI |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 44-TSOP II |
| 包装 | 管件 |
| 存储器类型 | NVSRAM（非易失 SRAM） |
| 存储容量 | 4M （512K x 8） |
| 封装/外壳 | 44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 135 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 速度 | 25ns |
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