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- 型号： CSD86311W1723
- 制造商： Texas Instruments
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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CSD86311W1723产品简介：
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| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 25V 4.5A 12DSBGAMOSFET Dual N-Channel Nex FET Pwr MOSFET |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| Id-连续漏极电流 | 4.5 A |
| 品牌 | Texas Instruments |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Texas Instruments CSD86311W1723NexFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | CSD86311W1723 |
| Pd-PowerDissipation | 1.5 W |
| Pd-功率耗散 | 1.5 W |
| Qg-GateCharge | 3.1 nC |
| Qg-栅极电荷 | 3.1 nC |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 42 mOhms |
| Vds-漏源极击穿电压 | 25 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 10 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 10 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1 V |
| 上升时间 | 4.3 ns |
| 下降时间 | 2.9 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 585pF @ 12.5V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 4nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 39 毫欧 @ 2A，8V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25585 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 12-DSBGA（1.53x1.98） |
| 其它名称 | 296-27599-1 |
| 典型关闭延迟时间 | 13.2 ns |
| 制造商产品页 | http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp?distId=10&orderablePartNumber=CSD86311W1723 |
| 功率-最大值 | 1.5W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Texas Instruments |
| 商标名 | NexFET |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 29 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 12-UFBGA，DSBGA |
| 封装/箱体 | DSBGA-12 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 6.4 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 25 V |
| 漏极连续电流 | 4.5 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 25V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4.5A |
| 系列 | CSD86311W1723 |
| 视频文件 | http://www.digikey.cn/classic/video.aspx?PlayerID=1364138032001&width=640&height=455&videoID=541363338001http://www.digikey.cn/classic/video.aspx?PlayerID=1364138032001&width=640&height=455&videoID=1083957888001 |
| 配置 | Dual Common Source |
