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  • 型号: CSD75211W1723
  • 制造商: Texas Instruments
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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CSD75211W1723产品简介:

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产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET 2P-CH 20V 4.5A 12DSBGAMOSFET Dual P-Channel Nex FET Power MOSFET

产品分类

FET - 阵列分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

2 个 P 沟道(双)

Id-ContinuousDrainCurrent

4.5 A

Id-连续漏极电流

4.5 A

品牌

Texas Instruments

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Texas Instruments CSD75211W1723NexFET™

数据手册

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产品型号

CSD75211W1723

PCN过时产品

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Pd-PowerDissipation

1.5 W

Pd-功率耗散

1.5 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

39 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

39 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vds-漏源极击穿电压

20 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 8 V

Vgs-栅源极击穿电压

8 V

上升时间

4.1 ns

下降时间

1.6 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1.1V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

600pF @ 10V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

5.9nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

40 毫欧 @ 2A,4.5V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25585

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

12-DSBGA(1.53x1.98)

其它名称

296-27598-1

制造商产品页

http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp?distId=10&orderablePartNumber=CSD75211W1723

功率-最大值

1.5W

包装

剪切带 (CT)

商标

Texas Instruments

商标名

NexFET

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

12-UFBGA,DSBGA

封装/箱体

DSBGA-12

工厂包装数量

3000

晶体管极性

P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

20V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

4.5A

系列

CSD75211W1723

视频文件

http://www.digikey.cn/classic/video.aspx?PlayerID=1364138032001&width=640&height=455&videoID=541363338001http://www.digikey.cn/classic/video.aspx?PlayerID=1364138032001&width=640&height=455&videoID=1083957888001

配置

Dual

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